臺(tái)積電2nm工藝研發(fā)進(jìn)展超預(yù)期 將采用環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)

  ICC訊 9月22日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，在5nm工藝今年一季度投產(chǎn)，為蘋(píng)果等客戶代工最新的處理器之后，芯片代工商臺(tái)積電下一步的工藝研發(fā)重點(diǎn)就將是更先進(jìn)的3nm和2nm工藝。

  在7月16日的二季度財(cái)報(bào)分析師電話會(huì)議上，臺(tái)積電CEO魏哲家透露，他們3nm工藝的研發(fā)正在按計(jì)劃推進(jìn)，仍將采用成熟的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)(FinFET)，計(jì)劃在明年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，2022年下半年大規(guī)模投產(chǎn)。

  與多次提及的3nm工藝不同，臺(tái)積電目前并未公布太多2nm工藝的消息，在近幾個(gè)季度的財(cái)報(bào)分析師電話會(huì)議上均未曾提及。

  雖然臺(tái)積電方面未對(duì)外公布2nm工藝的消息，但外媒援引產(chǎn)業(yè)鏈人士透露的消息，還是進(jìn)行過(guò)多次報(bào)道。

  在最新的報(bào)道中，外媒援引產(chǎn)業(yè)鏈消息人士的透露報(bào)道稱，臺(tái)積電2nm工藝的研發(fā)進(jìn)展超出預(yù)期，快于他們的計(jì)劃。

  這一消息人士還透露，臺(tái)積電的2nm工藝，不會(huì)繼續(xù)采用成熟的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)，而會(huì)采用環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)(GAA)。

  在此前的報(bào)道中，外媒提及的與臺(tái)積電2nm工藝相關(guān)的信息，出現(xiàn)過(guò)兩次，均是在8月底。其一是臺(tái)積電已在謀劃2nm工藝的芯片生產(chǎn)工廠，將建在總部所在的新竹科學(xué)園區(qū)，臺(tái)積電負(fù)責(zé)營(yíng)運(yùn)組織的資深副總經(jīng)理秦永沛，透露他們已經(jīng)獲得了建廠所需的土地。第二次是在上月底的臺(tái)積電2020年度全球技術(shù)論壇上，他們透露正在同一家主要客戶緊密合作，加快2nm工藝的研發(fā)進(jìn)展，相關(guān)的投資也在推進(jìn)。