ICC訊(編譯:Nina)日前,SEMI在其最新的季度報告中宣布,2024年,全球半導(dǎo)體產(chǎn)能預(yù)計將增長6.4%,首次超過每月3000萬片(Wafers per month,wpm)晶圓(以200毫米當量計算)的水平。2023年,全球半導(dǎo)體產(chǎn)能增長了5.5%,每月產(chǎn)能為2960萬片晶圓。
報告指出,2024年增長的驅(qū)動力來自前沿邏輯和代工、包括生成式人工智能和高性能計算(HPC)在內(nèi)的應(yīng)用以及芯片終端需求的復(fù)蘇。2023年產(chǎn)能擴張放緩是由于半導(dǎo)體市場需求疲軟以及由此導(dǎo)致的庫存調(diào)整。
SEMI總裁兼首席執(zhí)行官Ajit Manocha表示:“全球市場需求的復(fù)蘇和政府激勵措施的增加正在推動關(guān)鍵芯片制造地區(qū)的晶圓廠投資激增,預(yù)計到2024年全球產(chǎn)能將增長6.4%。世界各國高度關(guān)注半導(dǎo)體制造業(yè)對國家和經(jīng)濟安全的戰(zhàn)略重要性,而這是這些趨勢的關(guān)鍵催化劑。”
《World Fab Forecast》報告顯示,從2022年到2024年,全球半導(dǎo)體行業(yè)計劃開始運營82個新的晶圓廠,其中包括2023年的11個項目和2024年的42個項目,晶圓尺寸從300毫米到100毫米不等。
中國引領(lǐng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)擴張
在政府資金和其他激勵措施的推動下,中國預(yù)計將提高其在全球半導(dǎo)體生產(chǎn)中的份額。中國大陸芯片制造商預(yù)計將在2024年啟動18個項目,2023年產(chǎn)能同比增長12%至760萬wpm, 2024年產(chǎn)能同比增長13%至860萬wpm。
預(yù)計中國臺灣仍將是半導(dǎo)體產(chǎn)能的第二大地區(qū),2023年產(chǎn)能增長5.6%至540萬wpm, 2024年將增長4.2%至570萬wpm。該地區(qū)準備在2024年啟動五家晶圓廠。
韓國的芯片產(chǎn)能排名第三,2023年為490萬wpm, 2024年為510萬wpm,隨著一家晶圓廠的投產(chǎn),韓國的芯片產(chǎn)能將增長5.4%。日本預(yù)計在2023年以460萬wpm排名第四,在2024年將以470萬wpm排名第四,隨著該地區(qū)2024年四家晶圓廠的投產(chǎn),其產(chǎn)能將增加2%。
報告還顯示,到2024年,美洲的芯片產(chǎn)能將同比增長6%,達到310萬wpm,新增6個晶圓廠;隨著4個晶圓廠的投產(chǎn),歐洲和中東地區(qū)的產(chǎn)能將增加3.6%,達到270萬wpm;東南亞的產(chǎn)能將在2024年增加4%,達到170萬wpm,新增4個晶圓廠。
代工廠產(chǎn)能持續(xù)強勁增長
預(yù)計代工廠將成為最大的半導(dǎo)體設(shè)備買家,2023年產(chǎn)能增加到930萬wpm,到2024年將達到創(chuàng)紀錄的1020萬wpm。
由于個人電腦和智能手機等消費電子產(chǎn)品的需求疲軟,Memory板塊在2023年放緩了產(chǎn)能擴張。DRAM板塊的產(chǎn)能在2023年增加2%至380萬wpm,到2024年將增加5%至400萬wpm。2023年,3D NAND的產(chǎn)能保持在360萬wpm的水平,明年將增長2%,達到370萬wpm。
在離散和模擬領(lǐng)域,汽車電氣化仍然是產(chǎn)能擴張的關(guān)鍵驅(qū)動因素。離散(Discrete)產(chǎn)能預(yù)計將在2023年增長10%,達到410萬wpm,2024年增長7%,達到440萬wpm;模擬(Analog)產(chǎn)能預(yù)計將增長11%,達到210萬wpm。
新聞來源:訊石光通訊網(wǎng)
相關(guān)文章