技術(shù)分享｜不同種類單模光纖熔接后的外觀和熔接質(zhì)量之間的關(guān)系（二）

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  5.光纖的折射率分布

  對(duì)三種光纖組合熔接后的折射率分布都進(jìn)行了測(cè)量。IFA-100的功能是不但可以測(cè)量每個(gè)光纖的折射率分布，還生成每次熔接的折射率分布圖。

  5.1 G.652.D和G.652.D熔接

  圖3展示了G.652.D單模光纖的折射率?？v坐標(biāo)軸的零點(diǎn)代表了純石英玻璃的折射率。

  圖3. G.652.D光纖的折射率分布

  在圖3里面，覆蓋了兩個(gè)G.652.D光纖的折射率分布。一個(gè)是測(cè)量了遠(yuǎn)離熔接點(diǎn)的數(shù)據(jù)，也就是沒(méi)有受到熔接時(shí)被加熱的部位。另一個(gè)測(cè)量的是非常接近熔接點(diǎn)，在熔接放電加熱影響的區(qū)域內(nèi)。接近熔接點(diǎn)光纖的折射率略微高于沒(méi)有被加熱的光纖。在純石英光纖的包層區(qū)域尤其明顯。當(dāng)光纖在生產(chǎn)的過(guò)程中被拉長(zhǎng)的時(shí)候，殘留的應(yīng)力會(huì)留在玻璃內(nèi)，這樣就降低了折射率。當(dāng)光纖被熔接以后，加熱放電會(huì)釋放應(yīng)力并且恢復(fù)到玻璃原始的折射率[4]。

  圖4. G.652.D熔接后的成像灰度圖

  在上圖展示了同一根G.652.D光纖進(jìn)行熔接后的成像灰度圖。從熔接點(diǎn)往左和往右各800μm的距離內(nèi)，折射率的分布呈現(xiàn)間隔性。在這張灰色的圖表里面，顏色越深代表折射率越高。纖芯位于光纖的中心可以很清晰的觀測(cè)到。然而，由于拉伸導(dǎo)致的應(yīng)力被釋放，所造成的包層加熱部分的輕微變黑，很難從這張灰色的圖里面辨別出來(lái)。

  5.2 G.652.D和G.654.C熔接

  下面的圖5展示了G.654.C和G.652.D兩種光纖在熔接之后折射率分布的數(shù)據(jù)。

  圖5. G.652.D和G.654.C的折射率分布

  圖5里面的縱坐標(biāo)軸被調(diào)整為可以展示兩種光纖的折射率分布。很明顯地可以看到G.652.D光纖的包層(純石英)的折射率分布幾乎和G.654.C光纖的純石英纖芯的相同。由于G.654.C光纖的包層玻璃里面有明顯的摻雜，所以其包層區(qū)域的折射率要遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于G.652.D光纖。

  圖5也展示了兩種光纖在熔接點(diǎn)附近受到加熱影響區(qū)域的的折射率分布。在熔接加熱的過(guò)程中，由于光纖拉絲過(guò)程中產(chǎn)生的應(yīng)力已經(jīng)得到了釋放。和G.652.D光纖本身進(jìn)行熔接的情況相比較，在接近熔接點(diǎn)的部位折射率的分布和沒(méi)有被加熱的區(qū)域相比已經(jīng)被提高。

  圖6. G.652.D和G.654.C熔接后的成像灰度圖

  上圖展示了G.652.D光纖和G.654.C光纖熔接后的成像灰度圖，可以很清晰的看出兩種光纖折射率的巨大反差。這張灰色的圖表也展示了G.654.C光纖的纖芯(純石英)和G.652.D光纖的包層有著近似的折射率。

  5.3 G.652.D和G.655.D熔接

  G.655.D光纖和G.652.D光纖的折射率分布表示在圖7之中。

  圖7. G.652.D光纖和G.655.D光纖的折射率分布

  在這種光纖組合的情況下，兩種光纖的包層部分大多數(shù)都是由純石英組成，因此包層區(qū)域有著相同的折射率。

  然而，由于G.655D在纖芯有著比G.652.D更加復(fù)雜的折射率分布，包括在纖芯的周圍有著一個(gè)環(huán)形的結(jié)構(gòu)，產(chǎn)生了除了纖芯以外的第二個(gè)折射率高于包層的區(qū)域。

  圖8. G.652.D光纖和G.655.D光纖熔接后的成像灰度圖

  在圖8里面同樣可以看到G.655.D光纖在纖芯區(qū)域和G.652.D光纖在折射率分布上的區(qū)別。

  6.使用側(cè)面對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)熔接

  側(cè)面對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)(PAS)是真正能夠進(jìn)行纖芯對(duì)準(zhǔn)的熔接機(jī)所普遍采用的方法。對(duì)這一系統(tǒng)進(jìn)行闡述對(duì)理解本次研究的結(jié)果有很大的幫助。

  6.1 側(cè)面對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)的架構(gòu)

  一臺(tái)PAS熔接機(jī)需要使用兩套互相垂直的光學(xué)分析路徑來(lái)觀測(cè)光纖。這兩套光學(xué)觀測(cè)的軸是垂直于光纖的軸向，并且一般被稱為“X”軸和“Y”軸(相對(duì)的“Z”軸代表光纖的軸向)。圖9展示了所描述的系統(tǒng)。

  圖9. PAS熔接機(jī)光學(xué)系統(tǒng)

  每一個(gè)光學(xué)軸在光纖的一邊都配備了一個(gè)高分辨率的攝像頭和物鏡，并且在光纖的遠(yuǎn)端有照明用的LED燈，以提供穿過(guò)光纖側(cè)面(或者是上面和下面)的校準(zhǔn)光。攝像頭和物鏡配備了可以移動(dòng)的功能以進(jìn)行精確地對(duì)焦，這對(duì)于光纖纖芯的偵測(cè)和校準(zhǔn)非常重要。在進(jìn)行熔接的時(shí)候,左邊和右邊的光纖會(huì)被放進(jìn)熔接機(jī)的校準(zhǔn)V形槽內(nèi)。為了能夠校準(zhǔn)光纖的纖芯(或者包層)，通常一側(cè)的V形槽可以在“X”方向進(jìn)行高精度的移動(dòng)，而另一側(cè)可以在“Y”方向進(jìn)行移動(dòng)。因此動(dòng)作過(guò)程得到了觀測(cè)，并且可以通過(guò)分析“X”和“Y”觀測(cè)軸的影像來(lái)進(jìn)行控制。

  如果(a) X/Y的動(dòng)作得到精確地控制(包括攝像頭的聚焦動(dòng)作)，(b) 光學(xué)系統(tǒng)的分辨率足夠，(c) 對(duì)準(zhǔn)的計(jì)算是準(zhǔn)確無(wú)誤的話，就可以實(shí)現(xiàn)在0.1μm以下的纖芯對(duì)準(zhǔn)。

  6.2 照明光的折射

  當(dāng)校準(zhǔn)光從照明LED射入光纖的時(shí)候，會(huì)發(fā)生一定角度的彎曲(折射)，折射的角度取決于空氣和玻璃之間折射率的不同以及入射角度。因此，進(jìn)入光纖的照明光在經(jīng)過(guò)包層外圍邊緣的時(shí)候，由于有著較大的入射角度所以比起其他位置會(huì)產(chǎn)生較大的向內(nèi)的折射。實(shí)際上，由于光纖的包層比空氣有著更高的折射率，照明光會(huì)朝著光纖的中心呈現(xiàn)出徑向的扇形分布。這一現(xiàn)象被表現(xiàn)在圖7內(nèi)。為了清晰可見(jiàn)，僅僅展示了單一觀測(cè)軸， 并且水平橫向進(jìn)行展示。

  圖10. 照明光

  當(dāng)照明光通過(guò)光纖的時(shí)候，光通路會(huì)在的折射任何有不同折射率的地方發(fā)生彎曲。在圖7里面展示了具有非常簡(jiǎn)單折射率結(jié)構(gòu)的G.652.D單模光纖。在這種情況下，折射率唯一額外的變化就在于純石英的包層和具有較高折射率的摻雜鍺的纖芯之間。在這一點(diǎn)上，光會(huì)發(fā)生二次折射。折射現(xiàn)象會(huì)再次朝向中心呈現(xiàn)向內(nèi)的徑向分布。

  攝像頭和物鏡聚焦平面的位置需要進(jìn)行優(yōu)化以獲得能夠辨別單模光纖的纖芯和包層之間具有差別的影像。在光纖的影像內(nèi)(顯示在圖7里面的右側(cè))，從熔接機(jī)LED射出的照明光射入光纖之后會(huì)發(fā)生向內(nèi)的彎曲，然后匯聚在光纖的中心。于是，光纖影像的外面部分會(huì)呈現(xiàn)為完全的黑色。通常來(lái)說(shuō)，聚焦位置需要被選擇在照明光的集聚范圍占光纖直徑的25%左右的位置。

  照明光在光纖纖芯和包層界面上的二次折射會(huì)在接近明亮區(qū)域(光匯聚的區(qū)域)中心的位置上產(chǎn)生峰值極高的光亮。偵測(cè)峰值亮度的位置可以用來(lái)指示光纖的纖芯。

  6.3 光亮強(qiáng)度的分布

  圖11展示了從熔接機(jī)上的攝像頭影像里面取得的單一垂直掃描線條，是一個(gè)具有代表性的光亮強(qiáng)度分布。垂直掃描的線條被水平地繪制，縱軸表現(xiàn)的是相對(duì)亮度。因此照明LED的背景亮度顯示在光亮強(qiáng)度分布圖的左側(cè)和右側(cè)。在光亮強(qiáng)度分布圖的中間亮度區(qū)域，可以看到在纖芯的位置有著亮度的峰值，相對(duì)的外部邊緣完全黑色的區(qū)域就代表了外包層。

  圖11. PAS光亮密度分布

  6.4 使用PAS進(jìn)行纖芯對(duì)準(zhǔn)

  圖11里面的光亮強(qiáng)度分布是簡(jiǎn)單而且理想化的。一個(gè)實(shí)際的光亮強(qiáng)度分布可能有明顯的干擾以及某些對(duì)稱性的缺失。在實(shí)際的應(yīng)用中，為了提供精準(zhǔn)的纖芯對(duì)準(zhǔn)，會(huì)掃描包括左側(cè)的光纖和右側(cè)光纖，以及X軸和Y軸的多條垂直線條。

  而且，基于光纖的種類，光亮強(qiáng)度分布在中間光亮區(qū)域可能更加復(fù)雜。在某些情況下存在多個(gè)局部的光亮峰值。這一般都是因?yàn)?A href="http://huaquanjd.cn/site/CN/Search.aspx?page=1&keywords=%e5%85%89%e7%ba%a4&column_id=ALL&station=%E5%85%A8%E9%83%A8" target="_blank">光纖有著更加復(fù)雜的折射率分布，例如光纖具有環(huán)形的結(jié)構(gòu)。這就使得達(dá)成高精度對(duì)芯所需的分析變得復(fù)雜化。

  在實(shí)際的應(yīng)用中，雖然PAS的概念是相對(duì)簡(jiǎn)單的，但是在一個(gè)信賴性高并且可以再現(xiàn)的前提下，要成功地應(yīng)用PAS的方法來(lái)提供正確，可靠并且高精度的纖芯對(duì)準(zhǔn)是很困難的。分析和對(duì)準(zhǔn)的運(yùn)算方法必須被精密合理地設(shè)計(jì)，以處理光纖上的灰塵，各種不同種類光纖在折射率分布上的差異(會(huì)造成光亮強(qiáng)度分布上的差異)補(bǔ)償光纖纖芯和包層之間的偏心率(因?yàn)樵诜烹娙劢拥臅r(shí)候，由于表面張力的所用，被加熱和處于半融化狀態(tài)光纖的包層會(huì)向中心運(yùn)動(dòng))，以及其他情況所帶來(lái)的影響。實(shí)際上很多聲稱是可以提供纖芯對(duì)準(zhǔn)的熔接機(jī)實(shí)際上不能做到。

  7.熔接的結(jié)果

  7.1 在熔接機(jī)顯示器上的熔接后外觀

  圖12, 13和14分別展示了使用IFA-100捕捉，并使用油浸顯微鏡得到的三種光纖熔接組合的影像和在具備PAS光學(xué)系統(tǒng)的熔接機(jī)上取得的熔接后光纖的外觀，并且被顯示在熔接機(jī)上的LCD顯示器上。

  接下來(lái)看一下G.652.D光纖和其自身進(jìn)行熔接后的外觀，在圖12里面，顯示的是使用顯微鏡觀測(cè)的影像，可以看到兩邊的光纖沒(méi)有什么分別，僅僅在熔接點(diǎn)的位置有些微的差別，PAS熔接機(jī)顯示器上面的影像也與其相似，左側(cè)和右側(cè)光纖的對(duì)芯情況良好，說(shuō)明實(shí)現(xiàn)了兩根光纖的精確對(duì)準(zhǔn)。

  圖12. 同種G.652.D熔接后的光纖外觀

  G.652.D和G.654.C熔接后的外觀如圖13所示?？梢钥吹皆陲@微鏡下，熔接點(diǎn)的位置有明顯的豎直線條，在左側(cè)也就是G.652.D的位置表現(xiàn)為明亮的條紋，而在右側(cè)G.654.C的位置表現(xiàn)為黑暗的條紋，剛剛已經(jīng)介紹了兩種光纖折射率分布存在差異的時(shí)候，光在通過(guò)的時(shí)候會(huì)發(fā)生橫向的折射，在這個(gè)例子里面光朝向折射率分布更高的G.652.D光纖的方向，也就產(chǎn)生了這樣明暗相間的豎直條紋，在PAS熔接機(jī)的畫面上也有相同的現(xiàn)象。

  圖13. G.652.D和G.654.C熔接后的外觀

  圖14展示了G.652.D和G.655.D熔接后的光纖影像。在顯微鏡的影像里面也體現(xiàn)出了G.655.D在纖芯區(qū)域的復(fù)雜結(jié)構(gòu)，除此之外在光纖的熔接點(diǎn)纖芯的位置上，由于同樣存在折射率分布上的差異，所以也會(huì)產(chǎn)生橫向的折射，可以看到和剛剛G.654.C光纖類似的明暗條紋，而且更加復(fù)雜，在PAS熔接機(jī)的畫面上也有相同的情況。

  圖14. G.652.D和G.655.D熔接后的外觀

  7.2 在PAS熔接影像內(nèi)的橫向折射

  所造成的影響

  第6章(特別是第6.1節(jié))解釋了由于PAS熔接機(jī)的照明光會(huì)發(fā)生徑向的折射，所以會(huì)射向光纖軸的中心。這使得通過(guò)將光束聚集在光纖影像中心的方式，來(lái)偵測(cè)和校準(zhǔn)光纖的纖芯成為可能。前文已經(jīng)提到過(guò)，從光纖熔接機(jī)LED射出的照明光會(huì)發(fā)生一定角度的徑向折射，折射的角度取決于光折射點(diǎn)的折射率的巨大差異，以及發(fā)生折射率變化點(diǎn)的入射角度。

  圖15. 光線的徑向折射和橫向折射

  照明光的橫向(相對(duì)于軸向)折射也是有可能發(fā)生的，而且會(huì)在任何橫向折射率有變化的位置發(fā)生。如果兩根具有不同折射率分布的光纖被熔接到了一起，在光纖熔接到一起的位置會(huì)存在橫向折射率的差異。在這一界面上，光會(huì)向折射率更高的方向發(fā)生折射。

  圖16說(shuō)明了PAS熔接機(jī)照明光發(fā)生的橫向折射。在這個(gè)例子里面，右側(cè)的光纖具有更高的折射率，因此接近熔接點(diǎn)的照明光會(huì)發(fā)生折射，并且在折射率較高的右側(cè)匯聚成一條明亮的豎直線條，相應(yīng)的左側(cè)會(huì)產(chǎn)生黑暗的線條。

  圖16. 照明光的橫向折射

  在圖16所描述的熔接后的光纖影像里面，右側(cè)的光纖是一根普通的G.652.D單模光纖。左側(cè)的光纖影像所表示的是一根G.657.A2彎曲不明感光纖。G.657.A2光纖有一個(gè)環(huán)繞纖芯的低折射率的環(huán)，其增加了纖芯和包層的反差，正因?yàn)檫@樣才提供了超低的彎曲損耗。低折射率的環(huán)和具有標(biāo)準(zhǔn)折射率的G.652.D光纖的純石英玻璃相比具有很大的反差。這一折射率的反差導(dǎo)致了PAS熔接機(jī)的照明光，會(huì)在G.657.A2光纖具有低折射率環(huán)的包層區(qū)域，向右側(cè)G.652.D光纖的方向發(fā)生橫向的折射。在熔接點(diǎn)上面，由于光被折射并且被匯聚到了具有更高折射率的G.652.D光纖的右側(cè)，這種橫向的折射會(huì)造成在左側(cè)的黑暗線條。因?yàn)闄M向折射僅僅發(fā)生在G.652.D光纖的純石英包層和有低折射率環(huán)的G.657.A2光纖所產(chǎn)生反差的情況下，這足夠證明在PAS熔接后的光纖影像的中心明亮區(qū)域內(nèi)，那是讓很多熔接點(diǎn)發(fā)生模糊的豎直條紋的成因。

  在5.2節(jié)里面已經(jīng)提到過(guò)了，G.652.D光纖和G.654.C光纖在折射率分布上具有極大的差異。實(shí)際上，G.654.C的整個(gè)折射率分布都在G.652.D之下，這一現(xiàn)象可以在圖5里面清楚的看到。G.652.D光纖和G.654.C光纖之間的巨大反差在圖6的灰色圖表里面表現(xiàn)的更加明顯。

  由于G.652.D光纖在任何點(diǎn)的折射率分布都高于G.654.C光纖，從PAS熔接機(jī)的LED射出的照明光會(huì)朝著G.652.D光纖的方向橫向地折射。這可以在圖13里面的熔接后光纖的影像里被明顯的看到。在這個(gè)例子里面，因?yàn)檎麄€(gè)G.654.C光纖的折射率分布都低于G.652.D光纖，在兩種光纖匯聚的橫截面會(huì)產(chǎn)生朝向G.652.D光纖的橫向折射。因此，會(huì)在熔接點(diǎn)產(chǎn)生一條非常尖銳和顯著的豎直線條，在G.654.C光纖的一側(cè)表示為黑色，而在G.652.D光纖的一側(cè)表示為明亮。

  在G.652.D光纖和G.655.D光纖進(jìn)行熔接的時(shí)候，兩種光纖在折射率分布上的不同比起G.652.D光纖和G.654.C光纖的組合，沒(méi)有那么明顯。在之前的章節(jié)里面已經(jīng)提到過(guò)，在圖7里面折射率分布圖里面，G.655.D光纖在纖芯的周圍有一個(gè)環(huán)形的結(jié)構(gòu)，盡管折射率低于中心的纖芯，但是相比于純石英的包層區(qū)域其具有更高的折射率?？偟膩?lái)說(shuō)，相比于G.652.D光纖G.655.D光纖在纖芯的中心有著更高的峰值折射率，并且在纖芯的峰值周圍具有環(huán)狀的折射率上升，這是在G.652.D光纖的折射率分布里面所沒(méi)有的。尤其，在和G.652.D光纖熔接之后，G.655.D光纖的折射率上升環(huán)會(huì)和純石英包層相鄰并產(chǎn)生反差。在圖14里面，G.652.D和G.655.D熔接后的光纖影像在熔接點(diǎn)位置并沒(méi)有顯示出明顯的豎直條紋，只是在PAS影像的中心纖芯明亮區(qū)域的上面和下面依稀可見(jiàn)一條輕微的線條或者陰影。由于G.655.D光纖在折射率分布里面有著上升的環(huán)，從低折射率的純石英包層射入的光，會(huì)朝向高折射率的G.655.D光纖發(fā)生橫向地折射。所以在PAS熔接機(jī)的影像里，陰影正好是位于纖芯峰值的上面和下面，井且在G.652.D光纖的左側(cè)表現(xiàn)為黑暗，在G.655.D光纖的右側(cè)變現(xiàn)為明亮。

  7.3 熔接損耗的結(jié)果

  圖17. 熔接損耗的結(jié)果

  從上圖可以看到G.652.D自己進(jìn)行熔接的損耗極低，平均值是0.01dB，G.654.C和G.652.D進(jìn)行熔接的損耗幾乎和G.652自身熔接的相同，G.655.D和G.652.D的熔接損耗比起另外兩種要高不少，和之前進(jìn)行估算的結(jié)果接近，可以將其理解為兩種光纖模場(chǎng)直徑之間的差距所造成的。

  7.4 熔接強(qiáng)度的結(jié)果

  圖18. 熔接強(qiáng)度的結(jié)果

  可以看到即使三種光纖在玻璃的結(jié)構(gòu)上存在很大的差異，但是熔接后的強(qiáng)度并沒(méi)有明顯的區(qū)別。

  7.5 熔接結(jié)果的總結(jié)

  圖19. 熔接機(jī)顯示的圖像

  可以看到雖然在進(jìn)行不同種光纖熔接的時(shí)候，在熔接機(jī)上看到的圖像與同種光纖相比有很大的差異，但是除了模場(chǎng)直徑差別較大的G.655.D光纖以外，在熔接的損耗上幾乎沒(méi)有差別，G.654.D和G.654.C熔接時(shí)候雖然有很明顯的線條，但是熔接損耗還是很低，G.652.D和G.655.D熔接的時(shí)候，線條不是很明顯但是熔接的損耗卻更高，另外三種情況下熔接后光纖的強(qiáng)度也相差無(wú)幾。

  7.6 同種G.654.E光纖熔接

  另外，今年由于中國(guó)電信在上海到廣州鋪設(shè)G.654.E的實(shí)驗(yàn)光纜，我們也收到了很多關(guān)于G.654.E光纖熔接的問(wèn)題，在最后增加一頁(yè)特意說(shuō)明一下。同種G.654.E光纖熔接后的條紋和之前我們說(shuō)明的幾種情況有所不同，不屬于明暗交錯(cuò)，在其熔接點(diǎn)呈現(xiàn)出的是明暗對(duì)稱的情況。按照之前的理論，明暗條紋的出現(xiàn)是由于兩邊光纖折射率的變化，但是為什么兩邊是同種類光纖的情況下仍然會(huì)有明暗條紋的產(chǎn)生呢。首先一種可能是在主放電的過(guò)程中，光纖內(nèi)部的摻雜氟部分?jǐn)U散到了外部，從而造成了折射率的變化，但是通過(guò)對(duì)單根G.654.E光纖光纖放電我們發(fā)現(xiàn)其結(jié)構(gòu)很穩(wěn)定，并不會(huì)因?yàn)榧訜岫兓?，所以真正的原因?yīng)該是兩側(cè)光纖接觸之前會(huì)先進(jìn)行預(yù)放電以融化端面，由于摻雜氟部分的熔點(diǎn)遠(yuǎn)低于其他二氧化硅部分，會(huì)快速融化，使得兩側(cè)光纖之間形成了一段成分以及折射率不同于其他部分的區(qū)域，因此其兩側(cè)都會(huì)產(chǎn)生橫向折射，呈明暗對(duì)稱的現(xiàn)象，同樣也是一種光學(xué)的現(xiàn)象不會(huì)對(duì)損耗和強(qiáng)度產(chǎn)生影響。

  圖20. 同種G.654.E熔接后的外觀

  8.結(jié)論

  8.1 在熔接中產(chǎn)生的氣泡以及氣泡的報(bào)警

  下面的圖5展示了G.654.C和G.652.D兩種光纖在熔接之后折射率分布的數(shù)據(jù)。

  在熔接機(jī)上面顯示出來(lái)的氣泡報(bào)警，有可能由真實(shí)存在的氣泡造成的，也有可能是由某些在熔接圖像上的黑點(diǎn)或者是豎直線條造成的。

  雖然在熔接影像上的可見(jiàn)線條有可能會(huì)造成氣泡報(bào)警，但是操作人員可以把在熔接點(diǎn)的豎直線條(由于左右光纖型號(hào)不同所造成)和黑點(diǎn)，或者是由光纖包層扭曲變大所造成的氣泡區(qū)分開(kāi)來(lái)。

  對(duì)于很多精密的熔接機(jī)來(lái)說(shuō)，氣泡報(bào)警的閾值都是可以調(diào)節(jié)的(也就是降低靈敏度)，這樣豎直的線條就可能不會(huì)觸發(fā)氣泡報(bào)警，但是體積較大的黑點(diǎn)仍然會(huì)發(fā)生報(bào)警以提醒操作人員注意氣泡的產(chǎn)生。

  如果氣泡報(bào)警是由在熔接點(diǎn)的豎直線條造成的話，(如果是對(duì)不同種的光纖進(jìn)行熔接的情況下)操作人員可以很簡(jiǎn)單的忽視報(bào)警，或者是調(diào)節(jié)氣泡報(bào)警的閾值。

  如果在熔接影像上的黑點(diǎn)觸發(fā)了氣泡報(bào)警，并且黑點(diǎn)是圓的或者是不規(guī)則的形狀(而且不是由不同種光纖熔接所造成的豎直線條)，這就有可能是真實(shí)的熔接不良，會(huì)造成非正常的損耗變大。

  如果產(chǎn)生了黑點(diǎn)(而且不是由不同種光纖熔接所造成的豎直線條)而且在熔接機(jī)的X和Y攝像頭的影像里面都可以被觀察到，那么這個(gè)不良可能就在光纖的中心位置或者是靠近中心位置，并且很可能是一個(gè)真實(shí)存在的氣泡或者是熔接不良。在這種情況下，熔接的損耗可能會(huì)很高，所以需要斷開(kāi)熔接點(diǎn)重新進(jìn)行熔接。

  如果黑點(diǎn)僅僅出現(xiàn)在熔接機(jī)的X攝像頭的影像或者是Y攝像頭的影像里面，黑點(diǎn)的成因可能是在光纖的表面而不是會(huì)造成損耗變大的光纖中心位置。在這種情況下，通過(guò)使用再次放電的功能可以幫助判斷這次熔接是否存在問(wèn)題。如果進(jìn)行多次再放電之后黑點(diǎn)被放大，這是由陷在光纖內(nèi)部的氣體受熱膨脹所造成的，說(shuō)明這是一個(gè)真實(shí)存在的氣泡。在這種情況下，光纖需要進(jìn)行再次的熔接。如果黑點(diǎn)的尺寸變小了或者消失了，說(shuō)明黑點(diǎn)是由光纖表面的異常所造成的，并且不太可能造成損耗的變大。

  為了避免氣泡以及其他可能會(huì)在光纖影像上產(chǎn)生黑點(diǎn)的因素，需要保養(yǎng)熔接機(jī)的電極棒以校正合適的放電功率，而且也需要正確地保養(yǎng)切割刀。除此之外，在對(duì)光纖的切割完成之后，需要小心的取出光纖以防止切割后的光纖在放入熔接機(jī)的時(shí)候沾染污染物。

  8.2 在熔接影像內(nèi)的豎直線條

  本次研究是對(duì)在兩種不同單模光纖進(jìn)行熔接的時(shí)候,熔接點(diǎn)上的可見(jiàn)豎直線條，不能被看做有力的影響熔接損耗和強(qiáng)度的證據(jù)這一論點(diǎn)進(jìn)行論證。

  任何在兩種光纖的折射率分布上存在的巨大的不同或者差異，在被熔接一起之后都有可能在熔接點(diǎn)上面產(chǎn)生豎直的線條或者陰影，并且可以在光纖熔接機(jī)顯示器上的光纖影像上面表示出來(lái)。

  線條或者陰影是由光纖熔接機(jī)LED照明光在發(fā)生橫向折射之后產(chǎn)生的。照明光會(huì)朝著具有較高折射率光纖的方向(或者是光纖內(nèi)的特性)發(fā)生折射。

  線條和陰影的級(jí)別取決于兩種被熔接光纖之間折射率分布的差別大小。因此，掌握兩種光纖在折射率分布上差異可以對(duì)預(yù)測(cè)這種線條帶來(lái)幫助。

  在使用高分辨率光學(xué)系統(tǒng)的熔接機(jī)上面，線條可能非常容易被注意到，例如使用了PAS系統(tǒng)以提供高精度纖芯對(duì)準(zhǔn)的熔接機(jī)。

  雖然光纖熔接機(jī)光學(xué)系統(tǒng)所提供的的照明光，會(huì)由于兩種光纖熔接后所產(chǎn)生的折射率分布上的差異而發(fā)生折射，但是光學(xué)信號(hào)的傳播被沒(méi)有受到影響。所以兩種光纖折射率的差異性不會(huì)影響到熔接損耗。

  雖然折射率分布和在熔接后產(chǎn)生的豎直的線條不能作為預(yù)測(cè)熔接損耗的依據(jù)，但是兩種光纖在MFD上的區(qū)別卻能夠很好地和熔接的損耗相關(guān)聯(lián)。特別在使用真正具有纖芯對(duì)準(zhǔn)能力的高精度光纖熔接機(jī)對(duì)兩種不同模場(chǎng)直徑光纖進(jìn)行熔接的時(shí)候，由于MFD不匹配所產(chǎn)生的影響占據(jù)著主導(dǎo)地位。

  兩種光纖在折射率分布上的不同，以及MFD的不匹配都不會(huì)對(duì)熔接后光纖的強(qiáng)度產(chǎn)生影響。

  9.鳴謝

  作者感謝Interfiber Analysis LLC的Andrew D.Yablon，協(xié)助了折射率分布的測(cè)量，以及提供了本次研究中使用到的油浸顯微鏡的影像。

  10.作者

  參考文獻(xiàn)

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  [2] EIA/TIA-455-167，“Mode Field Diameter Measurements inthe Far Field”

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  [4] A.D.Yablon，M.F.Yan，P.Wisk，F(xiàn).V.DiMarcello，J.W.Fleming，W.A.Reed，E.M.Monberg，D.J.DiGiovanni，J.Jasapara，and M.E.Lines，“Refractive Index Perturbations in Optical Fibers resulting From Frozen-In Viscoelasticity”，Applied Physics Letters Volume 84，Number 1(anuary 5，2004)，pp.19-21.