銘普光磁取得“一種光模塊參數(shù)配置方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)”發(fā)明專利證書(shū)

  ICC訊  (編輯：Nicole) 東莞銘普光磁股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱：銘普光磁或公司)于近日取得一項(xiàng)中華人民共和國(guó)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局頒發(fā)的“一種光模塊參數(shù)配置方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)”發(fā)明專利證書(shū)。

  該發(fā)明公開(kāi)了一種光模塊參數(shù)配置方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)，包括：將光模塊放置在高溫環(huán)境下，當(dāng) MCU 溫度指針達(dá)到目標(biāo)工作溫度時(shí)，調(diào)節(jié)激光器核心溫度值、偏壓電流值和 VEA 值，使光模塊的光功率、消光比、通道代價(jià)滿足目標(biāo)值;以光模塊中 MCU 溫度指針為索引，根據(jù)服務(wù)器上預(yù)先存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)庫(kù)中激光器核心溫度值、VEA 值與調(diào)節(jié)后的激光器核心溫度值、VEA 值的對(duì)應(yīng)關(guān)系，動(dòng)態(tài)更新本地?cái)?shù)據(jù)庫(kù)中激光器核心溫度值、VEA 值;在常溫和低溫下分別測(cè)試光模塊的光功率、消光比和通道代價(jià)，若性能正常，則完成參數(shù)配置。

  本申請(qǐng)通過(guò)上述步驟將帶 EML 激光器的光模塊在高溫調(diào)試和常溫低溫測(cè)試，即能制作成品率高和合格率高的產(chǎn)品。

  具體情況如下：

  證書(shū)號(hào)：第 4084859 號(hào)

  發(fā)明名稱：一種光模塊參數(shù)配置方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)

  專利號(hào)： ZL 2018 1 1603013.2

  專利類型：發(fā)明專利

  專利申請(qǐng)日：2018 年 12 月 26 日

  專利權(quán)人：東莞銘普光磁股份有限公司

  授權(quán)公告日：2020 年 11 月 10 日

  專利權(quán)期限：20 年(自申請(qǐng)日起算)

  銘普光磁表示獲得發(fā)明專利有利于充分發(fā)揮公司自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)優(yōu)勢(shì)，完善知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)體系，對(duì)公司開(kāi)拓市場(chǎng)及推廣產(chǎn)品產(chǎn)生積極的影響，形成持續(xù)創(chuàng)新機(jī)制，提升公司核心競(jìng)爭(zhēng)力。