Eblana 光子公司和Vitesse半導(dǎo)體公司今天宣布達(dá)成合作協(xié)議,利用Vitesse的4英寸InP集成電路裝配線來制造低閾值單模激光二極管。
這兩家公司準(zhǔn)備采用已有的InP IC生產(chǎn)設(shè)備和工藝來裝配2.5-Gbit/sec,單波長的激光二極管。這些激光器在溫度T= 25°C時,輸出單波長激光,波長λ = 1.54 μ m (micron),閾值電流為12 mA。發(fā)射功率為20mW 時,其邊模抑制比(SMSR)好于40 dB。
Vitesse計劃使用其標(biāo)準(zhǔn)的VIP-2 InP HBT工藝,結(jié)合Eblana的可再生激光技術(shù)平臺來制作激光器。按照這兩家公司的說法,這種激光器的制造工藝具有劃時代的意義,將對通訊行業(yè)產(chǎn)生重大影響:
• 短期而言,它可以大幅度降低生產(chǎn)成本,這是因為這種工藝是借助于成熟的電子制造平臺,僅僅利用IC制造工具和工藝,以及相關(guān)的工藝控制體制就能完成。
• 該技術(shù)可實現(xiàn)人們所需的光子集成等級,推動FTTP和GbE在接入和企業(yè)網(wǎng)絡(luò)的發(fā)展。
• 長期而言,通過將成熟的InP電路技術(shù)和突破性InP激光器技術(shù)相結(jié)合,則產(chǎn)生出更多新型器件和應(yīng)用。
Vitesse的副總裁Ray Milano先生表示:“Eblana通過研制出一種類似DFB性能的,采用標(biāo)準(zhǔn)IC工藝制造的器件解決了激光器制造過程中的一個關(guān)鍵問題,另外,由于Eblana的技術(shù)平臺僅僅采用標(biāo)準(zhǔn)的電子設(shè)計規(guī)則和成熟工藝,那產(chǎn)品的性能和一致性都得到有效保證。這項技術(shù)也將對光收發(fā)器的制造產(chǎn)生重大而積極的影響。”
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