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臺(tái)積電1月?tīng)I(yíng)收達(dá)1721.76億元新臺(tái)幣 年增35.8%

摘要:臺(tái)積電今(10)日公布的財(cái)報(bào)顯示,該公司1月?tīng)I(yíng)收達(dá)1721.76億元新臺(tái)幣(單位下同),月增10.8%,年增35.8%。

  ICC訊  臺(tái)積電今(10)日公布的財(cái)報(bào)顯示,該公司1月?tīng)I(yíng)收達(dá)1721.76億元新臺(tái)幣(單位下同),月增10.8%,年增35.8%。

  據(jù)悉,臺(tái)積電2021年12月?tīng)I(yíng)收約為1553.82億元,月增4.8%,年增32.4%。

  在資本支出方面,臺(tái)積電曾在上個(gè)月的法說(shuō)會(huì)上指出,2021年資本支出花費(fèi)300億美元,預(yù)計(jì)2022年為400~440億美元。70~80%的支出花費(fèi)在先進(jìn)制程,10%花在先進(jìn)封裝,10~20%花在特殊制程。

  在長(zhǎng)期毛利率和制程占比方面,臺(tái)積電表示,毛利率將會(huì)維持在53%或以上。N5需求因手機(jī)、HPC 持續(xù)強(qiáng)勁;N4P較N5提高 11% 效能,22%電源效率,預(yù)計(jì)將于2022H2量產(chǎn),會(huì)支持特殊的HPC 應(yīng)用;N4X也是5nm加強(qiáng)版,將于2023H1 量產(chǎn)。不過(guò),N5會(huì)是長(zhǎng)期制程,在未來(lái)幾年持續(xù)主導(dǎo)。此外,N3將會(huì)繼續(xù)采用FinFET工藝,2022H2開(kāi)始量產(chǎn)。

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