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陜西光電子先導(dǎo)院攜“新質(zhì)生產(chǎn)力”成果亮相慕尼黑上海光博會(huì)

摘要:2024年慕尼黑上海光博會(huì)于3月20-22日舉行,陜西光電子先導(dǎo)院科技有限公司攜VCSEL單孔晶圓、VCSEL陣列晶圓、砷化鎵(GaAs)IPD晶圓、氮化鎵(GaN)HEMT晶圓4項(xiàng)成果亮相,展位上的各項(xiàng)產(chǎn)品吸引了眾多參觀者駐足、交流。

  ICC訊   2024年慕尼黑上海光博會(huì)于3月20-22日舉行,陜西光電子先導(dǎo)院科技有限公司攜VCSEL單孔晶圓、VCSEL陣列晶圓、砷化鎵(GaAs)IPD晶圓、氮化鎵(GaN)HEMT晶圓4項(xiàng)成果亮相,展位上的各項(xiàng)產(chǎn)品吸引了眾多參觀者駐足、交流。

  據(jù)光電子先導(dǎo)院技術(shù)人員介紹,“公司研發(fā)技術(shù)團(tuán)隊(duì)僅用了6個(gè)月的開(kāi)發(fā)周期,就完成了VCSEL單孔晶圓、VCSEL陣列晶圓2款產(chǎn)品的全流程工藝開(kāi)發(fā),通過(guò)了1000H的高溫高濕、高溫帶電、冷熱沖擊等可靠性測(cè)試,并發(fā)布了PDK(Process Design Kit,工藝設(shè)計(jì)套件)。這意味著公司已經(jīng)具備了相應(yīng)的工藝代工能力?!?

  此外,“基于常開(kāi)型 GaN HEMT 技術(shù),公司研發(fā)技術(shù)團(tuán)隊(duì)還完成了器件不同技術(shù)路線工藝流程的開(kāi)發(fā);針對(duì)GaAs無(wú)源器件模型,開(kāi)發(fā)了無(wú)源器件成套工藝,完成薄膜電阻、平板電容、螺旋電感等器件的建模。公司已經(jīng)具備GaN HEMT 、GaAs無(wú)源器件共性基礎(chǔ)工藝能力,正在進(jìn)一步優(yōu)化器件性能,可同步對(duì)接研發(fā)流片需求”,光電子先導(dǎo)院技術(shù)人員說(shuō)。

  據(jù)悉,本屆光博會(huì),來(lái)自海內(nèi)外的1200家光電行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)齊聚于此,共同探索光電行業(yè)的未來(lái)發(fā)展方向,聚焦新技術(shù)、新趨勢(shì),成為詮釋“新質(zhì)生產(chǎn)力”的風(fēng)向標(biāo)。

  “光子行業(yè)的發(fā)展,將推動(dòng)信息技術(shù)和新型工業(yè)化質(zhì)的飛躍,是新質(zhì)生產(chǎn)力的典型代表?!标兾鞴怆娮酉葘?dǎo)院總經(jīng)理?xiàng)钴娂t認(rèn)為,隨著人工智能、航空航天、智能制造、新能源、生命科學(xué)的蓬勃發(fā)展,光子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展也逐漸進(jìn)入快速增長(zhǎng)期。

  陜西光電子先導(dǎo)院成立于2015年,配備有超百人的完整工藝技術(shù)團(tuán)隊(duì),擁有先進(jìn)的化合物芯片關(guān)鍵設(shè)備100余臺(tái)(套)和千級(jí)、萬(wàn)級(jí)、十萬(wàn)級(jí)潔凈廠房8000㎡(研發(fā)平臺(tái)5000㎡,中試平臺(tái)3000㎡),是集研發(fā)及中試服務(wù)為一體的光電芯片領(lǐng)域?qū)I(yè)服務(wù)平臺(tái)。

  作為陜西省光子產(chǎn)業(yè)鏈“鏈主”企業(yè),陜西光電子先導(dǎo)院以“暢鏈”和“延鏈”進(jìn)行帶動(dòng),目前陜西全省光子產(chǎn)業(yè)企業(yè)已發(fā)展到300余家、產(chǎn)值300余億元,形成了光子領(lǐng)域全國(guó)創(chuàng)新版圖中的“陜西生產(chǎn)力”。

  楊軍紅表示,“光電子先導(dǎo)院一直把為光子企業(yè)提供研發(fā)、中試、測(cè)試、工程化服務(wù)作為核心價(jià)值,先進(jìn)光子器件工程創(chuàng)新平臺(tái)為更多項(xiàng)目提供‘化合物+硅光芯片’全流程服務(wù),吸引更多的光電子芯片創(chuàng)新主體融通匯集、聚鏈成群?!?

  為了拓展工程平臺(tái)“1+N”的服務(wù)模式,除了VCSEL主平臺(tái)工藝的開(kāi)發(fā)外,陜西光電子先導(dǎo)院在2023年還同步進(jìn)行砷化鎵IPD無(wú)源器件和GaN HEMT共性基礎(chǔ)工藝平臺(tái)開(kāi)發(fā)。截至2023年末,已完成了基礎(chǔ)工藝的開(kāi)發(fā),并經(jīng)過(guò)多輪流片驗(yàn)證,工藝過(guò)程參數(shù)均符合指標(biāo)要求,工藝過(guò)程可控。

  為進(jìn)一步培育光子產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)新優(yōu)勢(shì),陜西光電子先導(dǎo)院將持續(xù)追加投資,對(duì)現(xiàn)有平臺(tái)進(jìn)行升級(jí)。一方面,擬對(duì)現(xiàn)有化合物光子器件中試平臺(tái)進(jìn)行升級(jí)擴(kuò)能,新增高可靠車規(guī)級(jí)激光器芯片工藝設(shè)備;另一方面擬新建先進(jìn)硅光集成技術(shù)創(chuàng)新平臺(tái),新增硅光工藝設(shè)備,開(kāi)發(fā)先進(jìn)硅光集成芯片工藝技術(shù),具備硅光工藝研發(fā)、中試能力。

  據(jù)介紹,擴(kuò)能升級(jí)完成后,光電子先導(dǎo)院將實(shí)現(xiàn)“化合物+硅光芯片”全流程的研發(fā)、試驗(yàn)、中試能力,有效助力解決光子領(lǐng)域長(zhǎng)期存在的科研和市場(chǎng)“兩張皮”“大科技小產(chǎn)業(yè)”等問(wèn)題。也將有效助力消除科技創(chuàng)新中的“孤島現(xiàn)象”,使光子產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新成果更快轉(zhuǎn)化為現(xiàn)實(shí)生產(chǎn)力,推動(dòng)實(shí)體經(jīng)濟(jì)發(fā)展。

  截至2023年末,光電子先導(dǎo)院先進(jìn)光子器件工程創(chuàng)新平臺(tái)已攻克30多項(xiàng)核心工藝開(kāi)發(fā);完成了以VCSEL為代表的工藝平臺(tái)建設(shè),并完成了多款產(chǎn)品的PDK發(fā)布。平臺(tái)已經(jīng)具備為光電子產(chǎn)業(yè)各類創(chuàng)新主體提供研發(fā)、中試、檢測(cè)、工程化等全流程技術(shù)服務(wù),將加速企業(yè)產(chǎn)品創(chuàng)新,有效推動(dòng)光子產(chǎn)業(yè)持續(xù)創(chuàng)新發(fā)展。

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