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昊衡科技-OLI測試硅光芯片耦合質(zhì)量

摘要:光纖微裂紋診斷儀(OLI)對硅光芯片耦合質(zhì)量檢測非常有優(yōu)勢,以亞毫米級別的空間分辨率精準探測到光鏈路中每個事件節(jié)點,具有靈敏度高、定位精準、穩(wěn)定性高、簡單易用等特點,是硅光芯片檢測的不二選擇。

  ICC訊 硅光是以光子和電子為信息載體的硅基電子大規(guī)模集成技術(shù)。光纖到硅基耦合是芯片設(shè)計十分重要的一環(huán),耦合質(zhì)量決定著集成硅光芯片上光信號和外部信號互聯(lián)質(zhì)量,耦合過程中最困難的地方在于兩者光模式尺寸不匹配,硅光芯片中光模式約為幾百納米,而光纖中則為幾個微米,幾何尺寸上巨大差異造成模場的嚴重失配。光纖微裂紋診斷儀(OLI)對硅光芯片耦合質(zhì)量檢測非常有優(yōu)勢,以亞毫米級別的空間分辨率精準探測到光鏈路中每個事件節(jié)點,具有靈敏度高、定位精準、穩(wěn)定性高、簡單易用等特點,是硅光芯片檢測的不二選擇。

  1、光纖微裂紋檢測儀(OLI)測試硅光芯片耦合連接處質(zhì)量

  使用OLI測量硅光芯片耦合連接處質(zhì)量,分別測試正常和異常樣品,圖1為硅光芯片耦合連接處實物圖。

圖1 硅光芯片耦合連接處實物圖

  OLI測試結(jié)果如圖2所示。圖2(a)為耦合正常樣品,圖2(b)為耦合異常樣品,從圖中可以看出第一個峰值為光纖到硅基波導耦合處反射,第二個峰值為硅基波導到空氣處反射,對比兩幅圖可以看出耦合正常的回損約為-61dB,耦合異常,耦合處回損較大,約為-42dB,可以通過耦合處回損值來判斷耦合質(zhì)量。

(a)耦合正常樣品

(b)耦合異常樣品

圖2 OLI測試耦合連接處結(jié)果

  2、結(jié)論

  使用OLI測試能快速評估出硅光芯片耦合質(zhì)量,并精準定位硅光芯片內(nèi)部裂紋位置及回損信息。OLI以亞毫米級別分辨率探測硅光芯片內(nèi)部,可廣泛用于光器件、光模塊損傷檢測以及產(chǎn)品批量出貨合格判定。

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