ICC訊(編譯:Nina)比利時魯汶,2024年6月17日--在本周的IEEE RFIC研討會上,世界領先的納米電子和數(shù)字技術研究和創(chuàng)新中心imec展示了一種最先進的基于CMOS的D波段無線應用波束成形發(fā)射機。該發(fā)射器具有卓越的輸出功率和能源效率,同時支持每通道高達56Gb/s的數(shù)據(jù)速率。
它是imec研究人員目前正在開發(fā)的四路波束成形收發(fā)器芯片的關鍵組件。通過這項技術,他們的目標是支持下一代100GHz以上頻率的短程無線服務的部署。
下一代短程無線應用以每秒數(shù)十吉比特的數(shù)據(jù)速率而自豪,開創(chuàng)了一個充滿機遇的時代。無論是尋找無線故障安全機制的數(shù)據(jù)中心、固定無線接入(FWA)部署,還是支持擴展現(xiàn)實(XR)體驗的無線熱點,它們都集中在100至300GHz之間的亞太赫茲波段。
這些頻率提供的充足帶寬只是其基本特征之一。此外,它們更短的波長允許更小的天線,從而實現(xiàn)越來越緊湊的接入點和手持設備。最后,在通信和傳感交織在一起的未來應用(游戲、智能建筑、工業(yè)5.0等)中,高傳感分辨率將證明是無價的。
imec項目經(jīng)理Joris Van Driessche解釋說:“然而,當CMOS技術進入100GHz及以上的領域時,它會遇到各種障礙。第一個挑戰(zhàn)是獲得足夠的輸出功率來克服這些頻率下較高的路徑損耗。實現(xiàn)具有良好動態(tài)范圍和可接受功耗的寬帶電路也更加困難。這些挑戰(zhàn)是我們新型基于CMOS的D波段波束成形發(fā)射機的核心。”
一種高數(shù)據(jù)速率、低功耗的基于CMOS的D波段波束形成發(fā)射機
Imec的發(fā)射機是其四路波束成形收發(fā)器架構的一部分,工作在120-145GHz的頻率范圍內(nèi)。采用22nm FD-SOI工藝設計,每個發(fā)射通道占地1.17x0.3mm2,功耗為232mW。16QAM調(diào)制的輸出功率為3dBm,64QAM調(diào)制為2dBm,就發(fā)射輸出功率而言,imec的實現(xiàn)在CMOS D波段收發(fā)器中脫穎而出。
通過在本振電路中實現(xiàn)波束形成,在特定方向上引導高增益窄波束,結(jié)合零中頻收發(fā)器架構,imec的發(fā)射機減少了信號路徑中組件的數(shù)量。這樣,可以保持信號路徑的動態(tài)范圍,并且可以實現(xiàn)較寬的射頻帶寬。此外,imec的設計具有覆蓋通道帶寬高達14GHz的寬帶模擬基帶部分,可在寬頻率范圍內(nèi)實現(xiàn)高數(shù)據(jù)速率(每個通道高達56Gb/s)。
Joris Van Driessche表示:“我們芯片的另一個獨特之處在于它的完整性。與競爭對手的解決方案不同,我們的解決方案無縫集成了所有四個通道的LO波束形成和全模擬基帶部分,以及完整的RF鏈和波束形成功能。據(jù)我們所知,這是重大的第一次?!?
圖:演示器背面有一個完整的4路波束成形收發(fā)器芯片,旨在支持100GHz以上頻率的下一代短程無線服務的部署(來源:imec官網(wǎng))
邀請合作伙伴探索這項技術的潛力
“在IEEE RFIC研討會上發(fā)表的論文重點介紹了我們使用新型波束成形發(fā)射機所取得的成果。然而,我們的研究已經(jīng)開發(fā)出一個完整的4路波束成形收發(fā)器芯片,目前正在進行進一步的表征。通過該芯片,我們的目標是建立一個D波段無線系統(tǒng),使合作伙伴能夠試驗波束成形技術、聯(lián)合通信和傳感(JC&S)應用等,同時展示CMOS技術在下一代、頻率高于100GHz的短程無線應用中的可行性,”Van Driessche總結(jié)道。
這項研究是imec先進射頻計劃(Advanced RF program)的一部分,該計劃旨在通過解決從設備級到系統(tǒng)級的挑戰(zhàn),實現(xiàn)下一代高數(shù)據(jù)速率無線和高分辨率傳感應用。
原文:Imec unveils CMOS-based 56Gb/s zero-IF D-band beamforming transmitter, featuring superior output power and energy efficiency - https://www.imec-int.com/en/press/imec-unveils-cmos-based-56gbs-zero-if-d-band-beamforming-transmitter-featuring-superior