Imec和CST Global發(fā)行集成InP光源

  ICCSZ訊(編譯：Anton)比利時研究中心Imec和英國光子學(xué)產(chǎn)品III-V復(fù)合半導(dǎo)體設(shè)計制造商CST Global宣布，成功地將CST Global的InP100平臺上的InP分布式反饋(DFB)激光器集成到Imec的集成硅光子學(xué)平臺(iSiPP)中。

聯(lián)合發(fā)行有望推動硅光子學(xué)在成本敏感應(yīng)用領(lǐng)域的應(yīng)用，包括光互連、傳感、計算等

  InP-DFB激光器和反射半導(dǎo)體光放大器(RSOA)的混合集成接口將于2021年上半年作為Imec硅光子學(xué)原型服務(wù)的一部分提供，并在2020年進(jìn)行進(jìn)一步優(yōu)化和鑒定工作。Imec-CST Global的這項聯(lián)合技術(shù)產(chǎn)品有望在成本敏感型應(yīng)用中推動硅光子學(xué)的應(yīng)用，這些應(yīng)用包括光互連，傳感，計算等。

  硅光子學(xué)(SiPho)技術(shù)在過去幾十年里取得了巨大的進(jìn)步，并廣泛應(yīng)用于從光纖通信到傳感等各種應(yīng)用領(lǐng)域。技術(shù)平臺已經(jīng)發(fā)展成為成熟的工具，可供工業(yè)界和macademia用于原型制造、小批量和大批量制造。但是，一個廣泛可用的、具有成本效益的解決方案在SiPho芯片中集成了光源，這阻礙了SiPho在成本敏感市場的應(yīng)用。硅本身不能有效地發(fā)光，因此由III-V半導(dǎo)體(如InP或GaAs)制成的光源通常作為單獨封裝的組件來實現(xiàn)。這種外部光源通常會遭受更高的耦合損耗、較大的物理形狀因子和較大的封裝成本。

  Imec最近與CST Global聯(lián)手，將Imec的SiPho技術(shù)組合擴(kuò)展為被動組裝、邊緣發(fā)射、InP-DFB激光器和InP-rsoa。這項合作始于2019年，現(xiàn)已在Imec的iSiPP平臺上成功組裝了第一批C波段(1530-1565nm)InP-DFB激光器。 InP激光器通過模到模粘合的鍵合工藝“倒裝芯片”集成到SiPho電路上，可有效對準(zhǔn)并將大于5mW的功率耦合到SiPho芯片上的SiN波導(dǎo)中。

  Imec光學(xué)I/O項目主管Joris Van Campenhout：“我們很高興與CST Global合作，利用混合集成InP光源擴(kuò)展Imec的硅光子學(xué)產(chǎn)品組合。我們的第一個被動激光裝置已經(jīng)證明了良好的初步結(jié)果。在整個2020年，我們將進(jìn)一步優(yōu)化激光組裝工藝的精度和生產(chǎn)量;擴(kuò)展功能，包括1310/1550nm波長的RSOA集成;執(zhí)行可靠性鑒定。我們預(yù)計，這些混合集成光源的可用性將促進(jìn)SiPho設(shè)備在各種成本敏感市場的工業(yè)應(yīng)用。預(yù)計到2021年上半年，通過Imec的iSiPP200原型服務(wù)可以提前進(jìn)入市場?！?

  CST Global的集成經(jīng)理Antonio Samarelli說：“我們非常高興能與Imec合作完成這個項目。在CST的InP100制造平臺上設(shè)計和制造的InP光源(DFBs和RSOAs)的混合集成，結(jié)合iSiPP平臺，可為未來的先進(jìn)組件創(chuàng)建強大的光子集成電路(PIC)，從而提高性能并降低成本。我們將繼續(xù)與Imec密切合作，擴(kuò)展InP100平臺的功能和能力，以滿足大容量商業(yè)應(yīng)用中新型、先進(jìn)PIC的InP光源要求?！?