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光迅科技下一代光接入模塊研究

摘要:面對更為高端的市場需求和不斷演進(jìn)的技術(shù)發(fā)展趨勢,光迅表現(xiàn)出強(qiáng)烈的危機(jī)意識和使命感,提前開展NGPON模塊技術(shù)研究。目前,光迅NGPON相關(guān)產(chǎn)品已形成批量銷售,銷售額超過1000萬元。

  ICCSZ訊 近年來,光迅科技PON模塊以其優(yōu)良的性能、可靠的品質(zhì),受得客戶的廣泛認(rèn)可,在贏得市場的同時,為我國乃至全球的FTTx建設(shè)提供廣泛而可靠的保障。隨著建設(shè)的全面開展和進(jìn)一步推進(jìn),PON模塊產(chǎn)品出貨量將持續(xù)增長,這讓光迅科技迎來了收獲的季節(jié)。放眼未來,光接入網(wǎng)對帶寬要求將越來越高,對PON模塊在速率和性能方面的表現(xiàn)也提出了更高的要求。面對更為高端的市場需求和不斷演進(jìn)的技術(shù)發(fā)展趨勢,光迅表現(xiàn)出強(qiáng)烈的危機(jī)意識和使命感,提前開展NGPON模塊技術(shù)研究。目前,光迅NGPON相關(guān)產(chǎn)品已形成批量銷售,銷售額超過1000萬元。

  技術(shù)演進(jìn)方面,40G TWDM-PON 已經(jīng)確定為下一代PON(Passive Optical Network,光接入網(wǎng))的方案,也即 NG-PON2, 相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)有望2015年正式發(fā)布,2016年實現(xiàn)商用。其優(yōu)勢在于能實現(xiàn)PON網(wǎng)絡(luò)的平滑升級,同10G PON、GPON、EPON 在同一個光接入網(wǎng)中共存,而TWDM-PON作為低成本、易實現(xiàn)的方案,也更容易得到廣泛應(yīng)用。

  TWDM-PON系統(tǒng)對OLT光器件的基本技術(shù)要求為輸出光功率+5~9dBm (N1),消光比8.2dB,接收靈敏度-26.5dBm(N1),光隔離度55dB(1524~1544nm 對1596-1603nm)。而OLT端器件的需要則決定于OLT的構(gòu)型,包括分立的XFP模塊和集成的CFP模塊。目前,在OLT器件方面,光迅科技在積極開發(fā)1596-1600nm波長的10G EML芯片及其XMD封裝技術(shù),探索高輸出光功率的TOSA和BOSA方案。從TWDM-PON系統(tǒng)應(yīng)用角度,單波長的OLT XFP模塊可實現(xiàn)多波長靈活擴(kuò)展,光迅科技可針對不同客戶的帶寬需求提供下行4波長或8波長的模塊組方案。同時,基于成熟的40G CFP封裝平臺,光迅科技的CFP封裝OLT模塊集成有4路TOSA/ROSA,Mux/Demux以及光放大器,為系統(tǒng)商提供更簡易、數(shù)據(jù)容量更高的OLT解決方案。

  TWDM-PON系統(tǒng)的ONU模塊通常內(nèi)含可調(diào)TOSA、可調(diào)ROSA和C/L-band 濾波器,器件采用BOSA構(gòu)型,最終形態(tài)為可插拔型。為進(jìn)一步拓展PON系統(tǒng)帶寬和滿足不同客戶需求,對稱速率的10G/10G XFP/SFP模塊和非對稱的2.5G/10G XFP/SFP模塊預(yù)計會長期共存。因為波長調(diào)諧功能的引入,BOSA on board的方案需要同設(shè)備商進(jìn)行更緊密的技術(shù)合作,而市場上將更多的出現(xiàn)以模塊封裝為主的ONU。

  為將可調(diào)激光器技術(shù)應(yīng)用到PON系統(tǒng),尤其是成本敏感的ONU端還面臨諸多挑戰(zhàn)。熱調(diào)諧方案具有較大的成本優(yōu)勢,但難以滿足同XGPON一樣的工業(yè)溫度要求,而DBR電調(diào)諧方案則依賴于激光器芯片的成熟。通過TEC(半導(dǎo)體電制冷器)改變EML/DFB芯片溫度調(diào)諧波長是一個常見的解決方案,依據(jù)系統(tǒng)需求需實現(xiàn)400GHz(~3.5nm) 可調(diào)諧范圍,波長在1524-1544nm之間,激光器可采用10G XMD 封裝,速率支持2.49Gbps或9.98 Gb/s。考慮到ONU的環(huán)境溫度和常規(guī)TEC的溫控能力,溫度調(diào)諧的單波長TOSA通常只能支持100GHz頻率間隔4通道可調(diào),而8通道的需求通常采用2個光模塊來實現(xiàn),兩個光模塊的中心波長不同。而目前可選的電調(diào)諧方案中,則有波長調(diào)諧范圍為10nm的DBR電調(diào)諧方案和波長調(diào)諧范圍為3nm的DFB微加熱調(diào)諧方案。

  在可調(diào)TOSA的其它性能要求方面,4~7 dBm 的輸出功率要求對芯片在高溫下的光功率和10G EML中由EA調(diào)制器引入的損耗提出了苛刻的要求。行之有效的解決方案包括采用高效激光器芯片、管殼封裝的熱補(bǔ)償以及采用集成SOA。

  可調(diào)ROSA方面,采用10G APD前端集成可調(diào)光濾波器(TOF)的構(gòu)型是目前關(guān)注較多的方案??烧{(diào)ROSA的接收波長范圍為1596-1603nm,支持 100GHz頻率間隔的 4-8 波長可調(diào),相鄰?fù)ǖ栏綦x度25dB,非相鄰?fù)ǖ?0dB。

  ONU端可調(diào)濾波器技術(shù)的選擇取決于系統(tǒng)應(yīng)用場景??紤]到產(chǎn)品成熟度,MEMS和熱可調(diào)F-P濾波器成為目前主流的ROSA端可調(diào)濾波器方案。

 

 

MEMS濾波器

熱可調(diào)F-P濾波器

優(yōu)勢

工作溫度范圍:40-85℃

1dB 通帶帶寬:0.4nm

相鄰?fù)ǖ栏綦x度:25dB

通帶中心波長不隨環(huán)境溫度變化

光差損:1.5dB

調(diào)諧時間:100ms

小尺寸, 兼容SFP+/XFP模塊封裝

功耗?。?.4W

劣勢

尺寸大, 目前僅支持XFP封裝

功耗:1W

工作溫度范圍受限:-5-75℃

“尖”高斯光譜,1dB 帶寬?。?.2nm

相鄰?fù)ǖ栏綦x度:20dB 

可調(diào)范圍和通帶中心波長受環(huán)境溫度影響

光差損:2.5dB(同電壓和調(diào)諧范圍有關(guān))

調(diào)諧時間:1s

 

  TWDM-PON將是下一代光接入網(wǎng)的必由之路,而XG-PON系統(tǒng)的部署還處于早期,光迅科技下一代光接入模塊的研究必將對光接入網(wǎng)的演進(jìn)起到強(qiáng)大的推動作用。 

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