SiFotonics發(fā)布首款可量產(chǎn)CMOS單片集成的光接收器芯片TP1001

        SiFotonics Technologies Co., Ltd.于近日率先發(fā)布了具有2.5Gb/s速率、運(yùn)用于光通信的接收器單片集成芯片TP1001。這款芯片采用工業(yè)大規(guī)模生產(chǎn)的8英寸硅晶圓制造，集成了應(yīng)變鍺光電探測(cè)器和CMOS跨阻放大器(TIA)。目前，SiFotonics已經(jīng)在兩個(gè)全球一流的半導(dǎo)體晶圓制造專工廠成功制造出此芯片。 

        SiFotonics CEO潘棟博士談到，“目前，工業(yè)界生產(chǎn)光接收器都是依賴于兩個(gè)芯片來完成：用基于砷化鎵或磷化銦襯底材料的光電探測(cè)器和另一個(gè)跨阻放大器芯片裝配成ROSA。而SiFotonics克服了眾多的技術(shù)挑戰(zhàn)，把這兩種功能在同一硅襯底上成功單片集成，并在世界一流的晶圓專工廠制造實(shí)現(xiàn)。我們很高興的宣布，這一款能夠?qū)崿F(xiàn)2.5Gb/s數(shù)據(jù)速率的TP1001集成接收器芯片已經(jīng)通過嚴(yán)格的功能和可靠性測(cè)試。據(jù)我們所知，這是世界上第一款成功運(yùn)用量產(chǎn)CMOS技術(shù)來實(shí)現(xiàn)單片集成的光接收器。這一創(chuàng)新的集成芯片運(yùn)用了美國麻省理工學(xué)院在硅基光電領(lǐng)域最先進(jìn)的研發(fā)成果。麻省理工學(xué)院在此領(lǐng)域已經(jīng)投入了多年的領(lǐng)先技術(shù)研發(fā)，在世界范圍內(nèi)享有盛譽(yù)。我們期望，運(yùn)用同一研發(fā)技術(shù)和制造程序，SiFotonics會(huì)在很短時(shí)間內(nèi)發(fā)布10Gb/s的集成芯片。 

        硅基光電技術(shù)領(lǐng)域權(quán)威, 美國麻省理工學(xué)院材料科學(xué)與工程Lionel C. Kimerling教授指出，“這款硅基光電集成芯片的成功是一個(gè)很大的成就！它代表的不僅僅是科技上的突破，同時(shí)也是制造程序和芯片設(shè)計(jì)的完美結(jié)合。” 

        SiFotonics市場和銷售副總裁Jack Yuan先生展望道，“TP1001為業(yè)界掀開了全新的一頁。由于我們可以采用同一CMOS制程把其他功能的專用芯片同TP1001集成，這一產(chǎn)品不但適用于電信傳送，同樣適合于數(shù)據(jù)通信領(lǐng)域；更值得指出的是，TP1001芯片具有2.5Gb/s速率，能夠以低成本把光傳送數(shù)據(jù)交換效能引入到對(duì)成本非常敏感的應(yīng)用領(lǐng)域，諸如計(jì)算機(jī)互連和消費(fèi)電子等領(lǐng)域。” 

        TP1001是一個(gè)2.5Gb/s光接收器單片集成芯片，通過在硅襯底上生長鍺的技術(shù)將光電探測(cè)器同CMOS TIA集成為一體。該款芯片將使用在光纖輸入的前端，它的功能是將接收的光信號(hào)轉(zhuǎn)換成為電信號(hào)，能夠覆蓋4個(gè)關(guān)鍵波長：650nm，850nm，1,310nm，和1,550nm。使用標(biāo)準(zhǔn)的CMOS 3.3V電源接口，具有-25dBm的靈敏度和0.9A/W的響應(yīng)度。其中TIA可提供300kΩ的典型差分增益，整個(gè)芯片功耗不超過132mW。該款芯片目前已經(jīng)有樣品可供試用，將于2010年6月進(jìn)入量產(chǎn)階段