ICC訊 全球范圍內5G技術的迅猛發(fā)展,為氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)功率半導體制造商提供新的增長前景。2020年,GaN和SiC功率半導體市場規(guī)模為7億美元,預計2021年至2027年的復合年增長率將超過30%。
根據進行的一項研究,新型材料半導體的特點是尺寸小且功率密度高,Global Market Insights預計,到2027年,GaN和SiC功率半導體市場將超過45億美元。
近年來,全球電信運營商不斷擴大通訊領域的基礎設施建設,也為GaN和SiC功率半導體提供了廣闊的應用場景,比如在智能電網和工業(yè)電機驅動領域,新型材料的功率半導體需求將呈旺盛態(tài)勢。
汽車應用中對SiC的需求增加將推動GaN和SiC功率半導體市場的擴張
到2020年,SiC細分市場將占據50%的市場份額,并且由于電動汽車和航空航天領域對SiC功率器件的需求不斷增長,預計到2027年將保持20%的增長率。例如,SiC MOSFET與硅相比,具有高達10倍的的臨界擊穿強度,可滿足各種汽車應用中的高壓和功率要求。
隨著混合動力和電動汽車的市場份額不斷增加,進一步增加了汽車行業(yè)中對SiC的需求。全球多地政府正在加快其籌資活動和計劃,以增加電動汽車的普及率,從而增加市場優(yōu)勢。
工業(yè)應用中對高能效的需求將加速GaN和SiC功率半導體的市場機會
到2020年,電源應用將占據GaN和SiC功率半導體市場份額的30%,在工業(yè)和消費電子應用中對GaN & SiC功率半導體需求的增長推動下,到2027年,其復合年增長率將達到23%左右。為了減少工業(yè)加工過程中的能量損失,電源市場中對SiC和GaN等高能效材料的需求不斷增長,這將推動市場需求。
另一方面,市場參與者通過持續(xù)的技術創(chuàng)新,在高壓和電流工業(yè)應用中提供更強的可持續(xù)性,這將增加GaN和SiC功率半導體制造商的市場潛力。
日本政府支持半導體制造業(yè)的有利舉措將刺激產業(yè)擴張
2020年,亞太GaN和SiC功率半導體市場占總收入的65%以上,由于日本政府支持該國半導體制造的積極舉措,預計2021年至2027年的復合年增長率將達到34%。例如,2020年4月,日本政府宣布提供22億美元的資金,以幫助其國內制造商將其生產轉移到中國,以克服供應鏈障礙。
GaN和SiC功率半導體的幾家主要廠商,例如三菱電機,瑞薩電子公司等,將加速該地區(qū)的市場份額增長。這些行業(yè)領導者進一步參與擴大其業(yè)務活動,這將為市場發(fā)展注入新的活力。