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SiFotonics推出100GBaud硅光調(diào)制器,硅光產(chǎn)品需求強(qiáng)勁

摘要:硅基光電技術(shù)國際領(lǐng)先企業(yè)之一的SiFotonics近期宣布,在成功推出可量產(chǎn)的4x53GBaud與8x53GBaud硅光集成芯片基礎(chǔ)上,成功演示了100GBaud硅光調(diào)制器,展示了硅光技術(shù)未來用于單波200Gb/s傳輸?shù)臐摿Α?

  ICC訊 硅基光電技術(shù)國際領(lǐng)先企業(yè)之一的SiFotonics近期宣布,在成功推出可量產(chǎn)的4x53GBaud與8x53GBaud硅光集成芯片基礎(chǔ)上,成功演示了100GBaud硅光調(diào)制器,展示了硅光技術(shù)未來用于單波200Gb/s傳輸?shù)臐摿Α?

  在該項技術(shù)演示中,SiFotonics對硅光調(diào)制器芯片與匹配驅(qū)動電路進(jìn)行了優(yōu)化改進(jìn),合封的調(diào)制器驅(qū)動光電引擎顯示了清晰的100GBaud眼圖。

  “這一技術(shù)演示顯示了硅光集成芯片的高速傳輸潛力,說明在CMOS 量產(chǎn)平臺上生產(chǎn)的硅光芯片可以實現(xiàn)100GBaud信號高速調(diào)制,是硅光技術(shù)的一個重要利好,可以增強(qiáng)數(shù)據(jù)中心客戶對下一代硅光產(chǎn)品性能繼續(xù)提升的信心。另外,基于該技術(shù)的接收芯片也在評估和送樣測試中,其中包括128GBaud的Ge/Si探測器。SiFotonics的硅光收發(fā)集成芯片平臺為下一代800G(4x200G) 及1.6T (8x200G)產(chǎn)品線奠定良好基礎(chǔ),相信這些下一代芯片將會大規(guī)模用于滿足數(shù)據(jù)中心的需求”, SiFotonics首席執(zhí)行官CEO和創(chuàng)始人潘棟博士評論。

  “2021年, 公司的硅光集成產(chǎn)品線營收大幅增長,目前看到市場對100G/400G相干及強(qiáng)度調(diào)制類集成硅光芯片產(chǎn)品需求強(qiáng)勁,占了我們銷售的很大比例,預(yù)期明年市場有爆發(fā)性增長?!?

  關(guān)于SiFotonics:

  SiFotonics Technologies是一家設(shè)計制造硅光芯片/器件及相關(guān)集成電路的供應(yīng)商,并為數(shù)據(jù)中心、5G無線光網(wǎng)絡(luò)及骨干網(wǎng)鏈接提供解決方案。SiFotonics成立于2007年,在南京、北京和上海設(shè)有硅光技術(shù)研發(fā)中心和生產(chǎn)基地。

內(nèi)容來自:Sifotonics
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關(guān)鍵字: 100G
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