東大先進光子公司試制出300Gbps的光傳輸封裝底板

東京大學創(chuàng)辦的風險企業(yè)先進光子（Advanced Photonics，東京都目黑區(qū)）公司通過嵌入自主開發(fā)的“光波導”技術等，試制出了可在LSI間進行300Gbps高速光傳輸的玻璃環(huán)氧樹脂（Glass Epoxy）底板。利用在兩張玻璃環(huán)氧樹脂底板間夾有作為光波導的樹脂光波導薄膜等的“剛性嵌入型光互連”技術，實現了底板內的高速光通信。

　　
先進光子于2009年試制出了在約70mm見方的玻璃環(huán)氧樹脂制底板內嵌入24個每通道為10Gbps的光波導、可實現合計240Gbps光通信的封裝底板。此次，通過在約200mm見方的底板內設置24個每通道為12.5Gbps的光波導，成功實現了合計300Gbps的光傳輸。光波導試制出了將直線和曲線相互組合使用的三種模式。LSI間由自主開發(fā)的光電轉換模塊、光波導以及光電轉換模塊構成。

　　
原來通過采用光纖等的高速光通信傳輸信息時，要想向配備了CPU等LSI的底板中輸入信息，需要進行電子信息轉換。而該公司嵌入了光波導底板，在可直接輸入光信息這一點上具有新穎性。如果采用此次試制的底板，LSI便可以直接輸入光信息，先進光子社長重松誠介紹說，“由此可實現高速通信、節(jié)能以及小型輕量化”。

　　
此次開發(fā)的基礎核心技術——剛性嵌入型光互連技術，是東京大學尖端科學技術研究中心中野義昭教授研發(fā)的成果，已經申請了專利。該公司是一家以該核心技術為基礎，于2006年3月成立的大學風險企業(yè)。中野教授擔任該公司的首席技術顧問。

　　
據先進光子介紹，光波導的剛性樹脂薄膜“大多采用高折射率的環(huán)氧樹脂基，根據標準的不同，也會采用其他樹脂”。嵌入該薄膜的方法未公布。另一項核心技術——光電轉換模塊的構成“也未公布詳細情況”。光電轉換模塊嵌入了GaAs（砷化鎵）制激光發(fā)送器和受光元件，所以先進光子介紹說，“無需像原來一樣采用反光鏡和透鏡等”。

　　
2008年9月，日本愛德萬測試（Advantest）宣布與先進光子共同試制出了用于半導體測試系統的光布線底板。當時公布說，雙方試制出了可進行 160Gbps光通信的底板，“還可以進行最大為40Gbps的半導體試驗”。先進光子準備與企業(yè)聯手，使封裝有剛性嵌入型光互連的底板實現商品化。

　　
先進光子除了開發(fā)封裝剛性嵌入型光互連的底板外，還計劃同時推進光波導部分采用光纖的“柔性光互連”核心技術的實用化。