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芯速聯(lián)光電楊明:構(gòu)建芯片模塊垂直研發(fā)制造 賦能高速光模塊核心競爭力

摘要:芯速聯(lián)光電創(chuàng)始人&首席執(zhí)行官楊明發(fā)表《基于自研芯片平臺的400G/800硅光模塊已開啟量產(chǎn)征程》的演講匯報,介紹公司核心競爭力的成長,包括從硅光芯片到模塊的垂直整合能力,高性能產(chǎn)品量產(chǎn)情況,以及超級制造工廠的建設(shè)進展。

  ICC訊 6月15日,在2023中國光網(wǎng)絡(luò)研討會(OPTiNET CHINA)上,高速光芯片與光模塊供應(yīng)商商寧波芯速聯(lián)光電科技有限公司(簡稱“芯速聯(lián)”)創(chuàng)始人&首席執(zhí)行官楊明發(fā)表了《基于自研芯片平臺的400G/800硅光模塊已開啟量產(chǎn)征程》的演講匯報,介紹了公司核心競爭力的成長,包括從硅光芯片到模塊的垂直整合能力,高性能產(chǎn)品量產(chǎn)情況,以及超級制造工廠的建設(shè)進展。

  2023年以來,伴隨著人工智能應(yīng)用ChatGPT風(fēng)靡全球拉開了世界AI時代的帷幕,英偉達最新GH200 Grace Hopper 超級芯片和DGX GH200 超級計算機系統(tǒng),以其強大的算力性能和通信硬件賦能 AI和數(shù)據(jù)中心發(fā)展。在傳統(tǒng)云服務(wù)需求之外,AI算力需求正在成為光通訊技術(shù)產(chǎn)業(yè)全新增長驅(qū)動力, 400G/800G光模塊器件作為AI算力性能的關(guān)鍵硬件之一,其市場需求逐步超越行業(yè)預(yù)期。面對AI、云計算、互聯(lián)網(wǎng)流量驅(qū)動高速光模塊市場加速放量,光通信如何及時抓住市場機遇?楊明認為,充足的制造能力和垂直的研發(fā)能力是保障企業(yè)核心競爭力,贏下市場份額的關(guān)鍵。

  在制造方面,芯速聯(lián)擁有Chip-to-Transciver生產(chǎn)體系,在光芯片設(shè)計環(huán)節(jié),公司享有專利的Hyper Silicon芯片技術(shù)可以自主研發(fā)具有更低損耗、更高帶寬的PIC(光子集成電路)和AWG(平面光波導(dǎo))芯片。在芯片制造環(huán)節(jié),芯速聯(lián)與世界領(lǐng)先的SiPh(硅光)晶圓公司合作進行獨特的SiPh晶圓和芯片后段處理。在芯片封裝和光模塊生產(chǎn)方面,芯速聯(lián)擁有自動化耦合與側(cè)能力,通過專有的光組件設(shè)計和開發(fā)完成光芯片封裝,隨后通過低成本、高可靠性的COB封裝產(chǎn)線完成光模塊的批量生產(chǎn)。

  在研發(fā)方面,芯速聯(lián)建立了從硅光芯片到硅光模塊的垂直研發(fā)體系,包括AWG波分光器件芯片設(shè)計平臺、四通道/八通道光引擎/模塊設(shè)計平臺、硅光器件芯片設(shè)計平臺和DSP芯片設(shè)計平臺。目前公司已經(jīng)完成800G-1.6T關(guān)鍵技術(shù)的儲備,基于器件三位建模、光耦合/光學(xué)器件/器件高速信號仿真,以及高速PCB布線設(shè)計等能力,具備生光模塊各個環(huán)節(jié)的技術(shù)能力,持續(xù)推動產(chǎn)品更新迭代。

  楊明介紹,芯速聯(lián)將公司所有技術(shù)特點整合成為Hyper Silicon解決方案,該方案具有八個優(yōu)勢,表現(xiàn)為PAM4自研平臺可以最小化每吉比特價格,最大化帶寬的密度和可擴展性;PIC的小尺寸和簡單耦合可以使分立式成本降低30%;差分驅(qū)動調(diào)制器可以提供高調(diào)制效率并支持Serdes直驅(qū);高帶寬MZ調(diào)制器可支持高達200G/lane的動態(tài)帶寬調(diào)制;硅光芯片SiN邊緣耦合可以消除非線性效應(yīng)以支持20dBm的高輸入功率;芯片后處理到模塊測試的全自動化;MES制造系統(tǒng)監(jiān)控生產(chǎn);以及12000平方米超級工廠快速響應(yīng)需求激增。

  在Hyper Silicon PIC技術(shù)方面,楊明進一步介紹到,芯速聯(lián)工程團隊來自全球,累計擁有超過35年的SiPh設(shè)計經(jīng)驗,完成超過30次流片掩膜,在AWG、相干 PIC、4x25G PSM4等SiPh器件擁有成功經(jīng)驗。公司團隊開發(fā)的Hyper Silicon PIC面向400G DR4、800G DR8/DR4、1.6T DR8等主流市場產(chǎn)品應(yīng)用,可實現(xiàn)53.125Gbaud,具有4.5dB高消光比,通過采用邊緣耦合設(shè)計支持低損耗光纖陣列或透鏡耦合實現(xiàn)極低的片上損耗(<9dB)。基于Hyper Silicon PIC的400G DR4光模塊TX功率、消光比、TDECQ和RX靈敏度(OMA)等皆領(lǐng)先于業(yè)內(nèi)平均水準(zhǔn)。

  在產(chǎn)品發(fā)展和規(guī)劃方面,芯速聯(lián)基于Hyper Silicon PAM4的400G DR4/800G DR8和相干400G ZR/ZR+模塊已在今年一季度正式量產(chǎn),該產(chǎn)品的直驅(qū)版本預(yù)計于明年二季度推出樣品。公司800G產(chǎn)品正在送樣,明年有望實現(xiàn)部分產(chǎn)品量產(chǎn)。此外,公司的寧波中試線已經(jīng)完成從芯片到模塊的研發(fā)制造平臺建設(shè),安徽超級工廠將在第二季度完成,將實現(xiàn)高速光模塊年產(chǎn)能75萬只,覆蓋400G/800G及1.6T 等產(chǎn)品,為贏得高速光模塊市場升級換代機遇搶占先機。

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關(guān)鍵字: 芯速聯(lián) 硅光 400G
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