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美光HBM搶市 2025自然年目標(biāo)市占上看25%

摘要:英偉達(dá)積極采用高容量HBM,強(qiáng)化自家AI芯片,并選定SK海力士、三星與美光作為三家合作伙伴;美光6月5日表示,目前正積極強(qiáng)化技術(shù)并同步擴(kuò)充產(chǎn)能,預(yù)計在2025自然年,HBM將與其DRAM的市占率相當(dāng),約為20-25%。

  ICC訊 英偉達(dá)積極采用高容量HBM,強(qiáng)化自家AI芯片,并選定SK海力士、三星與美光作為三家合作伙伴;美光6月5日表示,目前正積極強(qiáng)化技術(shù)并同步擴(kuò)充產(chǎn)能,預(yù)計在2025自然年,HBM將與其DRAM的市占率相當(dāng),約為20-25%。

  針對HBM產(chǎn)能布局,美光指出,公司產(chǎn)能布局全球,日本廣島也是考慮擴(kuò)充地點(diǎn)之一,目前HBM3e進(jìn)展順利,預(yù)期未來將貢獻(xiàn)一定獲利,市占率也會跟現(xiàn)有市占率差不多,強(qiáng)調(diào)客戶對公司的HBM3、HBM3e都很有興趣。

  美光也說,公司也正著手開發(fā)HBM4,會考慮采用包括混合鍵合(Hybrid Bonding) 在內(nèi)等相關(guān)技術(shù),目前一切都在研究中,也補(bǔ)充自家HBM3e會成功是因?yàn)楣揪邆湎冗M(jìn)封裝、設(shè)計的能力,并整合自家制程,讓產(chǎn)品進(jìn)入市場的時程能夠維持領(lǐng)先地位。

  另外,美光今日也宣布推出基于1β (1-beta) 制程的GDDR7圖形存儲芯片,技術(shù)從PAM4 轉(zhuǎn)換成PAM3,打造最高速度達(dá)每秒32 Gb,同時其系統(tǒng)頻寬提升至1.5 TB/s 以上,頻寬相較前一代GDDR6高出60%,并擁有四個獨(dú)立通道,提供最佳化工作負(fù)載與更快的回應(yīng)速度、更流暢的游戲體驗(yàn)并顯著縮短處理時間。

  美光看好,相比前一代GDDR6,GDDR7的能源效率提升超過50%,有效改善散熱問題并延長電池壽命,新的睡眠模式可降低系統(tǒng)待機(jī)功耗最高達(dá)70%,高可靠性、可用性和可維護(hù)性(RAS) 功能可在不影響記憶體效能的情境下增強(qiáng)裝置可靠性和資料完整性,進(jìn)一步將美光GDDR7應(yīng)用范圍擴(kuò)至AI、游戲和高效能運(yùn)算工作負(fù)載。

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