Iccsz訊 近日,位于美國(guó)加州的格羅方徳(GlobalFoundries)公司透露了其硅光子學(xué)路線圖的新細(xì)節(jié),以實(shí)現(xiàn)下一代數(shù)據(jù)中心和云的光互連應(yīng)用。該公司首套使用300mm晶圓的90nm制造工藝已經(jīng)經(jīng)過認(rèn)定,同時(shí)還即將推出45nm工藝技術(shù),以提供更高的帶寬和能源效率。通過GlobalFoundries的硅光子技術(shù)能夠支持傳輸數(shù)據(jù)的大幅增長(zhǎng)對(duì)全球通信基礎(chǔ)設(shè)施提出的更高需求。
GlobalFoundries的硅光子技術(shù)能夠?qū)⒐鈱W(xué)元件與電路并排集成在單個(gè)硅芯片上。這種單片方法能夠利用標(biāo)準(zhǔn)硅制造技術(shù)來提高生產(chǎn)效率并降低部署光互連系統(tǒng)的成本。
GlobalFoundries的銷售和ASIC業(yè)務(wù)部門高級(jí)副總裁Mike Cadigan說:“數(shù)據(jù)對(duì)帶寬的急劇需求推動(dòng)了對(duì)新一代光互連的需求,我們的硅光子技術(shù)能夠?yàn)榭蛻籼峁┣八从械倪B接性能來傳輸海量數(shù)據(jù),無論是在數(shù)據(jù)中心內(nèi)的芯片之間,還是跨越數(shù)百甚至數(shù)千英里的云服務(wù)器之間。結(jié)合我們先進(jìn)的ASIC和封裝能力,這些技術(shù)能夠讓我們?yōu)檫@個(gè)市場(chǎng)提供高度差異化的解決方案?!?
GlobalFoundries的硅光子產(chǎn)品利用其在制造高性能射頻芯片方面的經(jīng)驗(yàn),采用90nm RF絕緣體上硅(SOI)工藝制造。該平臺(tái)能夠提供30GHz帶寬的解決方案,支持高達(dá)800Gbps的客戶端數(shù)據(jù)速率以及長(zhǎng)達(dá)120km的長(zhǎng)距離互連。
射頻SOI工藝向300mm晶圓轉(zhuǎn)移
該工藝技術(shù)以前使用200mm晶圓加工生產(chǎn),現(xiàn)已在紐約East Fishkill的GlobalFoundries Fab 10工廠的300mm晶圓上獲得認(rèn)證。向300mm晶圓的遷移使得客戶能力提高,制造生產(chǎn)力提高,光子損耗降低2倍,從而提高覆蓋范圍,實(shí)現(xiàn)更高效的光學(xué)系統(tǒng)。
90納米技術(shù)由Cadence Design Systems提供完整的工藝設(shè)計(jì)套件(PDK),包括的E/O/E協(xié)同設(shè)計(jì)、偏振、溫度和波長(zhǎng)參數(shù)以及差分光子測(cè)試功能,包括從技術(shù)驗(yàn)證到建模的五個(gè)測(cè)試部分,到多芯片模塊(MCM)產(chǎn)品測(cè)試等。
45nm射頻SOI技術(shù)即將量產(chǎn)
GlobalFoundries的下一代單片硅光子產(chǎn)品將采用45nm射頻SOI工藝制造,預(yù)計(jì)2019年投產(chǎn)。通過利用更先進(jìn)的45納米節(jié)點(diǎn),該技術(shù)將實(shí)現(xiàn)功耗降低、尺寸更小、光帶寬度更高的光收發(fā)器產(chǎn)品,來解決下一代太比特應(yīng)用。
其45nm射頻硅SOI技術(shù)平臺(tái)已通過驗(yàn)證并準(zhǔn)備就緒在美國(guó)紐約州East Fishkill的300mm生產(chǎn)線進(jìn)行批量生產(chǎn)。目前有多家客戶參與了先進(jìn)RF SOI工藝,該工藝針對(duì)5G毫米波(mmWave)前端模塊(FEM)應(yīng)用,包括未來的智能手機(jī)和下一代毫米波波束成形系統(tǒng)。
該公司的45RFSOI平臺(tái)針對(duì)波束形成FEM進(jìn)行了優(yōu)化,其特點(diǎn)是通過結(jié)合高頻晶體管、高電阻率SOI襯底和超厚銅布線來提高射頻性能。此外,SOI技術(shù)可輕松集成功率放大器、開關(guān)、低噪聲放大器(LNA)、移相器、上/下變頻器和壓控振蕩器(VCO)/鎖相環(huán)(PLL),從而降低成本、尺寸和功耗,以用于未來每秒數(shù)千兆比特通信系統(tǒng),包括互聯(lián)網(wǎng)寬帶衛(wèi)星、智能手機(jī)和5G基礎(chǔ)設(shè)施等。