硅波導的典型尺寸為500nm*220nm,這主要是為了滿足單模條件的要求。該尺寸同時支持TE0模和TM0模式,模場分布如下圖所示,
對于TE模,電場的水平分量占主導,對于TM模,電場的豎直分量占主導。需要說明的是,無論哪種模式,電磁場在其他方向上都是有分量的,和傳統(tǒng)的TE偏振、TM偏振有些區(qū)別,因而也稱其為quasi-TE, quasi-TM模。
從上圖中可以看出,TM模的光場主要分布在波導的上下兩個面,而TE模主要分布在兩個側(cè)面。由于上下兩個底面不是通過刻蝕形成的,其粗糙度小于側(cè)壁的粗糙度。因此TM模的傳輸損耗要小于TE模。盡管如此,光芯片中仍然使用的是TE模式,主要原因有:1)調(diào)制器僅支持TE模式,其需要通過脊形波導形成電學結(jié)構(gòu),2)TM模的彎曲半徑更大。
對于transceiver來講,其發(fā)送端可以保持工作在TE偏振下,但是當光經(jīng)過光纖傳輸后,到達發(fā)送端的光場偏振狀態(tài)已經(jīng)發(fā)生了變化,部分光變成了TM光。為了解決這一問題,人們提出了多種片上偏振相關(guān)器件。
1. TE-pass polarizer
通過一定的結(jié)構(gòu)設(shè)計,使得TE模通過,而TM模被過濾掉,其作用類似偏振片。有多種結(jié)構(gòu):
a) 級聯(lián)彎曲波導
(圖片來自文獻1)
主要利用TM模的彎曲損耗較大的性質(zhì),經(jīng)過多個彎曲波導后,TM模基本散射到襯底中,TE模則不受影響。
b)非對稱的定向耦合器
結(jié)構(gòu)如下圖所示,
(圖片來自文獻2)
通過選取合適的波導寬度,使得原波導中的TM0模式轉(zhuǎn)變?yōu)閷挷▽е械腡M1模,進而散射到襯底中,而TE0模仍然在原波導中傳播,不受影響。
3)寬度漸變的脊形波導
其結(jié)構(gòu)如下圖所示,
(圖片來自文獻3)
該結(jié)構(gòu)主要利用條形波導的TE0??赊D(zhuǎn)換為脊形波導的基模,TM0模無法完成類似的轉(zhuǎn)換,散射到襯底中。
2. Polarization splitter and rotator
該器件(以下簡稱PSR)的主要作用是將TM模和TE模分開在不同路徑傳播,并且TM模轉(zhuǎn)換為TE模。PSR的結(jié)構(gòu)非常之多(可參看浙大戴道鋅老師的綜述文獻), 但是總結(jié)下來,不外乎兩大類。
a) mode-evolution
利用bi-level taper, 使得TM0模式轉(zhuǎn)換為TE1模式,進而利用不對稱的定向耦合器,使得TE1模式轉(zhuǎn)變?yōu)門E0模式。典型的結(jié)構(gòu)如下圖所示,
(圖片來自文獻4)
b) mode-coupling
該結(jié)構(gòu)主要利用不對稱的定向耦合器,使得一根波導的TM模式與另一根波導的TE模式的有效折射率相等,兩者滿足相位匹配條件,TM模式轉(zhuǎn)換為另一根波導中的TE模式,典型的結(jié)構(gòu)如下圖所示,
(圖片來自文獻5)
基于PSR, 人們提出了polarization diversity的方案,也就是在兩個輸出端口連接相同的接收光路,如下圖所示。該方案將同一光路復制兩份,芯片的尺寸增大一倍。
(圖片來自https://res-www.zte.com.cn/mediares/magazine/publication/com_cn/article/201804/ZHAOYingxuan.pdf)
另外一種方案是基于MZI進行反饋控制,使得兩路中的TE模式進行干涉,最終光場全部集中在一根波導中,如下圖所示。該方案需要設(shè)計反饋控制算法。
(圖片來自文獻6)
此外偏振不敏感的edge coupler也是其中的一個關(guān)鍵器件,典型的結(jié)構(gòu)為懸臂梁型端面耦合器, 硅波導的tip寬度為90nm左右,如下圖所示,
(圖片來自文獻7)
使用單模光纖,該結(jié)構(gòu)的TE與TM模的耦合損耗都可以達到1.3dB。
以上是對硅光芯片中偏振相關(guān)器件的一個總結(jié),由于硅波導的寬度與高度不等,決定了其對偏振敏感,進而需要額外的器件來操控偏振自由度, 使得光場保持在TE模式。而其他材料體系的光芯片,波導可以制備成方形,也就不存在偏振敏感的問題。另外,由于波導加工的不完美性,導致波導結(jié)構(gòu)存在不對稱,進而使得光場偏振性質(zhì)發(fā)生改變。在分析實驗結(jié)果的時候,可能會遇到這一問題。
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