CIOE 2021 | 凌越光電攜EML光芯片亮相CIOE

  ICC訊 2021年9月16-18日，凌越光電參加中國(guó)國(guó)際光電博覽會(huì)(CIOE 2021)深圳國(guó)際會(huì)展中心(寶安新館)展位號(hào)5號(hào)館5E會(huì)議室，歡迎行業(yè)朋友蒞臨參觀交流!

  重慶凌越光電科技有限公司(Leaptek Photonics, Inc.)成立于2020年，是一家國(guó)際領(lǐng)先的光芯片IDM公司，專業(yè)從事砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等主流半導(dǎo)體光芯片研發(fā)與制造。凌越光電由高度國(guó)際化的“行業(yè)老兵”團(tuán)隊(duì)合作創(chuàng)辦，近40人含14位博士，股東包括中國(guó)及歐洲團(tuán)隊(duì)。公司總部位于重慶兩江新區(qū)，正在興建3萬(wàn)平方米從外延生長(zhǎng)、晶圓工藝至器件封測(cè)全流程設(shè)計(jì)制造能力的先進(jìn)光芯片基地，預(yù)計(jì)2022年下半年投入使用。并與芬蘭擁有超過(guò)20年成熟芯片量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)的Modulight公司緊密合作，在歐洲設(shè)有從外延設(shè)計(jì)生長(zhǎng)至最終解理封裝的全產(chǎn)業(yè)工序的研發(fā)生產(chǎn)中心。

      凌越光電具備從0.6到1.7 μm的全波段各類激光芯片開(kāi)發(fā)能力，產(chǎn)品包括高速 1310 nm EML和DFB激光芯片，大功率632 nm、905 nm、1550 nm 直流和脈沖激光芯片等，性能已達(dá)國(guó)際領(lǐng)先水平。 

凌越光電展區(qū)(5號(hào)館5E會(huì)議室)

  凌越光電主要聚集EML光芯片，在本次展會(huì)上現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試其EML光芯片。從測(cè)試性能上來(lái)看，表現(xiàn)優(yōu)越，并獲得了行業(yè)企業(yè)的認(rèn)可。凌越光電掌握從外延生長(zhǎng)，到晶圓工藝至芯片封測(cè)全流程生產(chǎn)制造工藝，使得產(chǎn)品的可靠性和一致性得到更大的保障與加強(qiáng)。在9月14-15日的訊石第二十屆研討會(huì)上凌越光電聯(lián)席CEO胡翀發(fā)表《高速激光芯片技術(shù)的進(jìn)展及在光通信應(yīng)用的趨勢(shì)》的主題報(bào)告也得到了高度關(guān)注。

  凌越光電展區(qū)(5號(hào)館5E會(huì)議室)