臺積電3nm制程工藝取得突破！

  ICC訊  據(jù)外媒報道，臺積電3納米芯片研發(fā)近期獲得突破，該公司決定8月以第2版3納米制程工藝投產。

  報道稱，一度因開發(fā)時程延誤的臺積電3nm制程近期獲得重大突破，延誤曾導致蘋果公司新一代處理器仍采用5nm加強版N4P。臺積電決定今年率先量產第二版3nm 制程N3B，將于今年8月于新竹12廠研發(fā)中心第八期工廠及南科18廠 P5廠同步投片，正式以鰭式場效晶體管(FinFET)架構，對決三星的環(huán)繞閘極(GAA)制程。

  臺積電的3nm 制造工藝仍將在今年晚些時候投入生產。進入生產的變體被稱為“N3B”，Digitims 預計初始產量將在每月4萬至5萬片之間?！癗3B”之后，很快就會有一個被稱為“N3E”的高級變體，預計將在2023年投入生產。