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臺積電發(fā)布產(chǎn)品規(guī)劃藍圖 預計2030年邁入1nm時代

摘要:臺積電日前在2023年IEEE國際電子元件會議上,發(fā)布進軍至1nm制程的產(chǎn)品規(guī)劃藍圖。

  ICC訊 《科創(chuàng)板日報》28日訊,臺積電日前在2023年IEEE國際電子元件會議上,發(fā)布進軍至1nm制程的產(chǎn)品規(guī)劃藍圖。預計到2030年,在3D封裝內(nèi)提供超過1兆個晶體管,且公司正在開發(fā)在單體式(monolithic)架構(gòu)包含2000億個晶體管的芯片。為了實現(xiàn)這一目標,該公司重申正在致力于發(fā)展2nm級N2和N2P生產(chǎn)節(jié)點、1.4nm級A14和1nm級A10制造工藝,預計將于2030年完成。

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