Scintil實(shí)現(xiàn)III-VI DFB激光器和放大器與標(biāo)準(zhǔn)硅光技術(shù)集成

  ICC訊（編譯：Nina）法國(guó)Grenoble，2024年2月27日--創(chuàng)新硅光子集成電路(PIC)的領(lǐng)先供應(yīng)商Scintil Photonics今天宣布，已將III-V-DFB激光器和放大器與標(biāo)準(zhǔn)硅光子技術(shù)集成在Tower Semiconductor的生產(chǎn)中，這標(biāo)志著Scintil在加強(qiáng)供應(yīng)鏈方面邁出了關(guān)鍵的一步。

  Scintil的全集成電路采用獨(dú)特的專(zhuān)有技術(shù)，依靠標(biāo)準(zhǔn)硅光子學(xué)，實(shí)現(xiàn)激光器和放大器的單片集成，在低功耗下為數(shù)據(jù)中心、人工智能和5G應(yīng)用帶來(lái)更高的性能、速度、可靠性和高密度。

  Scintil采用Tower的大批量基礎(chǔ)PH18M硅光子代工技術(shù)，包括低損耗波導(dǎo)、光電探測(cè)器和調(diào)制器，在晶圓背面單片集成DFB激光器和放大器?？蛻魧?duì)Scintil電路的進(jìn)一步測(cè)試表明，不需要密封封裝，同時(shí)證明了老化和堅(jiān)固性的改善。

  Scintil Photonics總裁兼首席執(zhí)行官Sylvie Menezo表示：“我們很高興與全球領(lǐng)先的晶圓代工廠Tower Semiconductor合作。在我們致力于推進(jìn)通信技術(shù)和產(chǎn)品的過(guò)程中，我們的合作標(biāo)志著一個(gè)重要的里程碑。由于我們的長(zhǎng)期合作，我們有能力提供激光增強(qiáng)硅光子IC，重新定義集成、性能和可擴(kuò)展性。這將使Scintil能夠大批量生產(chǎn)，以滿足市場(chǎng)需求。此外，我們的技術(shù)為實(shí)現(xiàn)更多材料的集成提供了非凡的機(jī)會(huì)，如量子點(diǎn)和鈮酸鋰材料?！?

  根據(jù)市場(chǎng)研究公司LightCounting的數(shù)據(jù)，硅光子收發(fā)器市場(chǎng)預(yù)計(jì)將以24%的復(fù)合年增長(zhǎng)率(CAGR)增長(zhǎng)，到2025年其總可尋址市場(chǎng)(TAM)將達(dá)到至少70億美元。

  Tower Semiconductor射頻業(yè)務(wù)部副總裁兼總經(jīng)理Edward Preisler表示：“我們很高興能夠在這個(gè)高度集成的解決方案中支持Scintil，該解決方案利用了來(lái)自Tower的成熟的生產(chǎn)構(gòu)件。III-V光放大器/激光器的集成符合Tower Semiconductor將尖端硅光子技術(shù)推向市場(chǎng)的承諾。”

  關(guān)于Scintil Photonics

  Scintil Photonics開(kāi)發(fā)和銷(xiāo)售增強(qiáng)型硅光子電路，包括：?jiǎn)纹珼WDM光源，由8到16個(gè)頻率間隔為100或200 GHz的激光器組成;單片CWDM 800Gbit/sec和1600Gbit/sec發(fā)射機(jī)，集成了DFB激光器、放大器和接收機(jī)。該公司開(kāi)發(fā)了用于光子電路低速控制的創(chuàng)新電子產(chǎn)品，并使用了現(xiàn)成的尖端高速驅(qū)動(dòng)器/TIA。

  原文：Scintil achieves integration of III-V DFB lasers and amplifiers with standard silicon photonics technology in production at Tower Semiconductor;https://www.scintil-photonics.com/post/integration-of-iii-v-dfb-lasers-and-amplifiers-with-standard-silicon-photonics-technology