ICC訊(編譯:Nina)美國加州圣克拉拉--2024年3月7日--數(shù)據(jù)基礎(chǔ)設(shè)施半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者M(jìn)arvell Technology, Inc.(納斯達(dá)克:MRVL)正在擴(kuò)大與臺積電的合作,開發(fā)業(yè)界首個(gè)生產(chǎn)針對加速基礎(chǔ)設(shè)施優(yōu)化的2nm半導(dǎo)體的技術(shù)平臺。
- Marvell將與臺積電的長期合作伙伴關(guān)系擴(kuò)展到2nm制造領(lǐng)域。
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2nm構(gòu)建模塊和基礎(chǔ)IP,以提高用于加速基礎(chǔ)設(shè)施的云優(yōu)化硅的性能和效率。
- Marvell在5nm和3nm基礎(chǔ)架構(gòu)芯片領(lǐng)域領(lǐng)先。
Marvell 2nm平臺背后是該公司業(yè)界領(lǐng)先的IP產(chǎn)品組合,涵蓋了全方位的基礎(chǔ)設(shè)施需求,包括速度超過200Gbps的高速長距離SerDes、處理器子系統(tǒng)、加密引擎、片上系統(tǒng)結(jié)構(gòu)、芯片到芯片互連,以及用于計(jì)算、內(nèi)存、網(wǎng)絡(luò)和存儲架構(gòu)的各種高帶寬物理層接口。這些技術(shù)將成為生產(chǎn)云優(yōu)化定制計(jì)算加速器、以太網(wǎng)交換機(jī)、光和銅互連數(shù)字信號處理器以及為人工智能集群、云數(shù)據(jù)中心和其他加速基礎(chǔ)設(shè)施提供動(dòng)力的其他設(shè)備的基礎(chǔ)。
投資于互連和高級封裝等平臺組件對于加快基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)至關(guān)重要:平臺級的突破緩解了可能阻礙整個(gè)系統(tǒng)性能的數(shù)據(jù)瓶頸,并減少了用于運(yùn)行最復(fù)雜應(yīng)用的多芯片解決方案的成本和上市時(shí)間。
Marvell首席開發(fā)官Sandeep Bharathi表示:“未來的人工智能工作負(fù)載將需要在性能、功率、面積和晶體管密度方面取得顯著的進(jìn)步。2nm平臺將使Marvell能夠提供高度差異化的模擬、混合信號和基礎(chǔ)IP,以構(gòu)建能夠?qū)崿F(xiàn)人工智能承諾的加速基礎(chǔ)設(shè)施。我們與臺積電在5nm、3nm和現(xiàn)在的2nm平臺上的合作,有助于Marvell擴(kuò)大在硅方面所能取得的成就?!?
臺積電業(yè)務(wù)發(fā)展高級副總裁Kevin Zhang表示:“臺積電很高興與Marvell合作,共同開發(fā)一個(gè)平臺,以推進(jìn)我們2nm工藝技術(shù)的加速基礎(chǔ)設(shè)施。我們期待與Marvell繼續(xù)合作,利用臺積電一流的工藝和封裝技術(shù),開發(fā)領(lǐng)先的連接和計(jì)算產(chǎn)品?!?
Marvell憑借其5nm平臺將先進(jìn)節(jié)點(diǎn)技術(shù)引入基礎(chǔ)設(shè)施硅,從一個(gè)快速跟隨者轉(zhuǎn)變?yōu)轭I(lǐng)導(dǎo)者。Marvell緊隨這一成就,推出了幾款5nm設(shè)計(jì),以及首個(gè)基于臺積電3nm工藝的基礎(chǔ)架構(gòu)硅產(chǎn)品組合。
Bharathi說:“我們采用模塊化的方法進(jìn)行半導(dǎo)體設(shè)計(jì)研發(fā),首先專注于鑒定可用于廣泛設(shè)備的基礎(chǔ)模擬、混合信號IP和先進(jìn)封裝。這使我們能夠更快地將工藝制造進(jìn)步等創(chuàng)新推向市場。”
原文:Marvell Announces Industry’s First 2nm Platform for Accelerated Infrastructure Silicon -- https://www.marvell.com/company/newsroom/marvell-announces-industry-first-2nm-platform-for-accelerated-infrastructure-silicon.html