50G PON&FTTR產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇成功舉辦 聚焦下一代PON商用機(jī)遇

  ICC訊 5月16日，2024中國(guó)光谷·光電子信息產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展大會(huì)隆重開(kāi)幕，由ICC訊石主辦的《50G PON&FTTR產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇》成功舉辦，聚焦PON技術(shù)迭代演進(jìn)，探索下一代光纖接入應(yīng)用，賦能光通訊產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)力。本次會(huì)議匯聚200多位光電子、光通信行業(yè)專業(yè)觀眾和嘉賓參與，來(lái)自中國(guó)信通院、烽火通信、光安倫、中國(guó)聯(lián)通、光迅科技、中國(guó)移動(dòng)、永鼎光電子、華工正源、驛路通、武漢理工大學(xué)、中科院半導(dǎo)體所等行業(yè)專家發(fā)表專業(yè)報(bào)告。

程強(qiáng) 中國(guó)信通院技術(shù)與標(biāo)準(zhǔn)研究所主任工程師

  中國(guó)信通院技術(shù)與標(biāo)準(zhǔn)研究所主任工程師程強(qiáng)發(fā)表《FTTR國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)展與展望》報(bào)告，回顧FTTR國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)展、介紹目前FTTR標(biāo)準(zhǔn)開(kāi)發(fā)的進(jìn)展和熱點(diǎn)問(wèn)題，并展望了后續(xù)FTTR國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)發(fā)展的方向。伴隨著我國(guó)FTTR用戶的飛速發(fā)展，2023年FTTR用戶增長(zhǎng)了10倍，2024年前兩月新增超過(guò)280萬(wàn)。全國(guó)85個(gè)省份運(yùn)營(yíng)商商用了FTTR。在標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)展方面，最新已通過(guò)G.9941物理層和G.9942鏈路層標(biāo)準(zhǔn)，已立項(xiàng)的標(biāo)準(zhǔn)包括G.fin-XPHY物理層、G.fin-XDLL鏈路層和G.WMCI無(wú)線控制接口。

王志軍 烽火通信 技術(shù)專家

  烽火通信技術(shù)專家王志軍發(fā)表《智慧光接入：共建數(shù)智底座 共享數(shù)智未來(lái)》報(bào)告， 50G PON是未來(lái)全光接入網(wǎng)的關(guān)鍵核心，其標(biāo)準(zhǔn)建立正在快速演進(jìn)，ITU-T 2023年完成50G PON標(biāo)準(zhǔn)G.9804.3 Amd2 制定，中國(guó)CCSA也啟動(dòng)50G PON系列標(biāo)準(zhǔn)的制定。50G PON需要滿足50G PON/10G PON/PON三代技術(shù)兼容共存，這需要產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同推動(dòng)發(fā)展，目前50G PON MAC芯片、光模塊都在設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)中，OLT/ONU設(shè)備已有相關(guān)樣品。此外，F(xiàn)TTR產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)、成熟度也在快速發(fā)展，根據(jù)FTTR短距傳輸場(chǎng)景需求重新定義鏈路預(yù)算和光器件指標(biāo)，要實(shí)現(xiàn)低速超頻和發(fā)光降級(jí)，降低核心光器件成本，10G對(duì)稱光器件將是重要選擇。

姚劍波 光安倫總經(jīng)理

  武漢光安倫光電技術(shù)有限公司總經(jīng)理姚劍波發(fā)表《50G PON光芯片產(chǎn)品介紹與市場(chǎng)探討》報(bào)告，介紹了光安倫2024年芯片產(chǎn)品定型與新型封裝方案。在50G PON商業(yè)化發(fā)展上，50G PON ONU光芯片難點(diǎn)總體在于，DFB+R/DFB+SOA對(duì)應(yīng)的Driver研制需要時(shí)間和資源配套，建議光芯片需要電芯片聯(lián)合配合推進(jìn)開(kāi)發(fā)進(jìn)度。50G PON將在2025年個(gè)別城市試點(diǎn)布網(wǎng)，2026-2027年有望形成規(guī)?；佋O(shè)。PON ONU是光通訊市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)激烈的細(xì)分板塊，需要產(chǎn)業(yè)聯(lián)合探索新發(fā)展模式和生態(tài)。

邵巖 中國(guó)聯(lián)通 研究院光接入網(wǎng)室主任

  中國(guó)聯(lián)通研究院光接入網(wǎng)室主任邵巖發(fā)表《面向F5G-A的光接入關(guān)鍵技術(shù)探討》報(bào)告，伴隨著國(guó)家頂層設(shè)計(jì)和政策推進(jìn)，中國(guó)成為光接入網(wǎng)產(chǎn)業(yè)引領(lǐng)者。50G PON和FTTR是F5G-A產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵技術(shù)，可以推動(dòng)泛在萬(wàn)兆接入應(yīng)用。50G-PON共存存在多種選擇模式，需要不斷探索應(yīng)用場(chǎng)景，助力產(chǎn)業(yè)聚合發(fā)展。而國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)協(xié)同制定FTTR標(biāo)準(zhǔn)，F(xiàn)TTR總體規(guī)范已發(fā)布，其中光器件是FTTR產(chǎn)業(yè)鏈的關(guān)鍵構(gòu)成。

林韜 光迅科技 市場(chǎng)經(jīng)理

  武漢光迅科技股份有限公司市場(chǎng)經(jīng)理林韜發(fā)表《50G PON光器件發(fā)展趨勢(shì)與挑戰(zhàn)》，在過(guò)去十多年里，PON技術(shù)在接入網(wǎng)市場(chǎng)獲得了巨大的商業(yè)成功，PON光器件/光模塊市場(chǎng)收入規(guī)模每年可達(dá)6-8億美元，P-to-MP架構(gòu)的低成本優(yōu)勢(shì)是PON網(wǎng)絡(luò)成功的重要原因。50G PON速率是下一代FTTH場(chǎng)景的主流選擇，規(guī)模上量后可迅速降低成本，50G PON光器件特點(diǎn)將是50G Tri Combo，采用六向器件的封裝，出光功率要求不斷提高。50G PON當(dāng)前面臨的挑戰(zhàn)，包括對(duì)稱速率 50G PON 產(chǎn)業(yè)鏈不成熟，三模Combo OLT模塊如何分光實(shí)現(xiàn)，如何設(shè)定C+功率預(yù)算以及能否單卡支持16 端口。

李俊瑋 中國(guó)移動(dòng) 研究院光接入專家

  中國(guó)移動(dòng)研究院光接入網(wǎng)及家庭網(wǎng)絡(luò)研究室經(jīng)理李俊瑋發(fā)表《創(chuàng)新萬(wàn)兆光寬帶 筑基算網(wǎng)新未來(lái)》報(bào)告，中國(guó)移動(dòng)面向算網(wǎng)融合打造堅(jiān)實(shí)全光底座，在接入層構(gòu)建50G PON+FTTR協(xié)同的新一代光接入網(wǎng)。50G PON作為下一代光接入網(wǎng)技術(shù)體系，應(yīng)滿足50G帶寬下的C+等級(jí)功率預(yù)算，同時(shí)上行方向兼容對(duì)稱和非對(duì)稱速率ONU，并支持和GPON和10G PON同端口共存以及低時(shí)延能力。關(guān)鍵技術(shù)包括ODN兼容高功率預(yù)算收發(fā)、多速率兼容oDSP技術(shù)、三代模式共存以及低時(shí)延與綜合承載。在FTTR方面，中國(guó)移動(dòng)聯(lián)合業(yè)界主導(dǎo)FTTR國(guó)內(nèi)外標(biāo)準(zhǔn)制定，F(xiàn)TTR物理層器件上，激光器采用DML且無(wú)需制冷，從設(shè)備接收機(jī)均采用PIN，其中10G Rb場(chǎng)景，通過(guò)提高主發(fā)射功率至5～9dBm，保證從設(shè)備接收機(jī)為PIN，降低FTTR整體成本。電芯片復(fù)用PON系統(tǒng)，考慮超頻技術(shù)實(shí)現(xiàn)最低成本光芯片方案。

王明利 永鼎光電子副總經(jīng)理

  江蘇永鼎光電子技術(shù)有限公司副總經(jīng)理王明利發(fā)表《50G PON波分復(fù)用器件技術(shù)與挑戰(zhàn)》報(bào)告，50G PON發(fā)展挑戰(zhàn)在于其與GPON上行波長(zhǎng)間隔只有2nm，要實(shí)現(xiàn)30dB隔離度的波分復(fù)用需要產(chǎn)業(yè)鏈攜手突破技術(shù)瓶頸。在OLT側(cè)的RX信號(hào)分離，GPON濾光片的透射帶寬達(dá)到40nm（1290-1330nm），意味著僅有2nm過(guò)渡區(qū)在50G-PON帶邊1288nm要實(shí)現(xiàn)30dB隔離度。針對(duì)50G PON 30dB隔離度的技術(shù)難題，永鼎光電子基于核心鍍膜技術(shù)及先進(jìn)的行業(yè)器件工藝，推出可應(yīng)用于50G PON的濾光片產(chǎn)品，并在50G PON濾光片指標(biāo)的基礎(chǔ)上，G/XG(S)/50G PON三模共存的Zblock可以按照任意波長(zhǎng)順序組裝。此外，永鼎光電子于全球率先推出了推出一系列低插損、高隔離度、高可靠性且多種PON共存的WDM無(wú)源模組，可以可分解、復(fù)用EPON、GPON、NGPON、50G PON等各種PON網(wǎng)絡(luò)，可滿足客戶的定制化需求。

黃文娟 華工正源 項(xiàng)目經(jīng)理

  華工正源光子技術(shù)有限公司項(xiàng)目經(jīng)理黃文娟發(fā)表《50G PON技術(shù)進(jìn)展及發(fā)展趨勢(shì)討論》報(bào)告，千兆光網(wǎng)快速邁向萬(wàn)兆光網(wǎng)發(fā)展，50G PON是關(guān)鍵技術(shù)，其物理層技術(shù)難度可以分為光芯片、電芯片和系統(tǒng)驗(yàn)證三個(gè)方面。50G下行解決方案，現(xiàn)已有EML可達(dá)成N1指標(biāo)要求，C+高功率預(yù)算需要EML集成SOA實(shí)現(xiàn)，光器件設(shè)計(jì)上優(yōu)化光路設(shè)計(jì)、調(diào)整發(fā)散角，降低光路損耗，提出更為高效耦合的光路設(shè)計(jì)，以及目前可將耦合效率提升到68%，滿足50G PON C+功率等級(jí)應(yīng)用。50G COMBO PON下行解決方案可采用六向三模同軸BOSA光器件，而B(niǎo)OX BOSA考慮光學(xué)元件貼裝位置偏差，貼片機(jī)的貼片精度，仿真得到耦合效率，可實(shí)現(xiàn)50G 1342nm，1577nm和1490nm光功率仍能滿足C+功率等級(jí)出光要求。

張祥波 驛路通總經(jīng)理

  武漢驛路通科技股份有限公司總經(jīng)理張祥波發(fā)表《光纖布拉格光柵技術(shù)與FTTR鏈路設(shè)計(jì)》報(bào)告，面向光網(wǎng)絡(luò)和FTTR市場(chǎng)，“AI‘深’透數(shù)字生活，F(xiàn)TTR創(chuàng)新助推智慧家庭升維。在FTTR鏈路監(jiān)測(cè)分析上，PON網(wǎng)絡(luò)復(fù)雜的點(diǎn)到多點(diǎn)ODN網(wǎng)絡(luò)環(huán)境，光纖故障的快速監(jiān)測(cè)與診斷成為一件具有挑戰(zhàn)性的工作。解決方案是可以將FBG反射器于ONU側(cè)，波長(zhǎng)為1645?1655nm，滿足此布拉格條件的光信號(hào)將會(huì)沿輸入路徑返回，而其他波長(zhǎng)的光（1260~1625nm）均可以通過(guò)。輸入光信號(hào)段如果能檢測(cè)到該波段的光纖光柵反射峰就可以判斷該傳輸路徑是正常的。FBG還可以在DWDM系統(tǒng)的增益平坦濾波器、色散補(bǔ)償器以及泵浦激光器和微波光子系統(tǒng)發(fā)揮作用。驛路通正在研發(fā)多芯FBG和異型FBG，可在傳感應(yīng)用帶來(lái)全新體驗(yàn)。

鄢永高 武漢理工大學(xué)教授

  武漢理工大學(xué)教授鄢永高發(fā)表《下一代PON熱電材料技術(shù)發(fā)展進(jìn)展》報(bào)告。當(dāng)前光通信產(chǎn)業(yè)鏈持續(xù)推動(dòng)50G PON標(biāo)準(zhǔn)發(fā)展，為家庭、園區(qū)提供更高速PON以及FTTR解決方案。下一代PON需要使用TEC熱點(diǎn)材料實(shí)現(xiàn)波長(zhǎng)漂移的精準(zhǔn)控制，TEC利用半導(dǎo)體熱電材料的帕爾貼效應(yīng)，可在固體狀態(tài)下實(shí)現(xiàn)熱能和電能互相轉(zhuǎn)換，是光通信模塊的核心元器件之一，目前北國(guó)外廠商高度壟斷。武漢新賽爾是一支國(guó)內(nèi)外科學(xué)家領(lǐng)銜的高水平TEC熱電材料研發(fā)和運(yùn)營(yíng)團(tuán)隊(duì)創(chuàng)立，目前已建成國(guó)內(nèi)自動(dòng)化程度一流的半導(dǎo)體熱點(diǎn)TEC器件生產(chǎn)線，擁有高效半導(dǎo)體熱電器件制造技術(shù)、包括熱電材料、微型器件自動(dòng)一體化制造和表面/界面處理與精準(zhǔn)加工以及熱電粒子高效識(shí)別、自動(dòng)組裝等技術(shù)。

陸丹 中科院半導(dǎo)體所研究員

  中科院半導(dǎo)體所研究員陸丹發(fā)表《50G PON光發(fā)射芯片技術(shù)及進(jìn)展》報(bào)告，介紹50G PON中的高速光發(fā)射芯片技術(shù)及其進(jìn)展，對(duì)電吸收調(diào)制激光器、高速直調(diào)激光器等關(guān)鍵器件的技術(shù)特點(diǎn)、性能提升方案進(jìn)行梳理。伴隨著PON速率朝發(fā)展，50G 被認(rèn)為是下一代主流技術(shù)選擇，但 50G-PON所使用的激光器技術(shù)，尤其是EML激光器將面臨新挑戰(zhàn)，在同時(shí)實(shí)現(xiàn)高功率和高帶寬性能方面，僅僅搭載一個(gè)EML激光器芯片或不足以滿足性能要求。中科院半導(dǎo)體所提出了一種集成EML激光器和SOA芯片的解決方案，同時(shí)分析了集成SOA芯片所產(chǎn)生的各種影響，并展示了業(yè)界的一些典型技術(shù)方案，例如華為的低飽和功率SOA和三菱電機(jī)的高飽和功率SOA方案。

吳娜 ICC訊石高級(jí)分析師

  ICC訊石高級(jí)分析師吳娜發(fā)表《光纖寬帶市場(chǎng)發(fā)展前景分析》報(bào)告。PON技術(shù)以每8-10年的速度升級(jí)，現(xiàn)階段是10G PON的商用部署期。在下一代PON發(fā)展路上，業(yè)界圍繞25G PON與50G PON存在爭(zhēng)論，在PON生態(tài)系統(tǒng)的支持下，25G PON和50G PON均有成功機(jī)會(huì)。其中50G PON有望在2024年開(kāi)始商用試點(diǎn)，并在2028年成為主流寬帶技術(shù)。隨著帶寬增速正?；?0G PON可能要到2028年開(kāi)始規(guī)模商用，而2030年前XGS-PON仍將引領(lǐng)市場(chǎng)。

論壇現(xiàn)場(chǎng)

  本次《50G PON&FTTR產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇》圓滿成功，行業(yè)共識(shí)是PON已經(jīng)成為全球家庭網(wǎng)絡(luò)、園區(qū)網(wǎng)絡(luò)、智慧城市和工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等重要場(chǎng)景的首選技術(shù)，支持不斷增長(zhǎng)的帶寬需求、低延遲和可持續(xù)性，同時(shí)實(shí)現(xiàn)演進(jìn)技術(shù)與早期技術(shù)的共存。行業(yè)正加速向50G PON升級(jí)演進(jìn)，今明兩年有望實(shí)現(xiàn)試點(diǎn)商用，2028年將形成規(guī)模化部署。50G PON融合了PON技術(shù)的所有優(yōu)勢(shì)，將推動(dòng)光器件、光電芯片及光通信產(chǎn)業(yè)鏈的迭代發(fā)展。電信運(yùn)營(yíng)商、系統(tǒng)設(shè)備商以及下游終端應(yīng)用持續(xù)推動(dòng)50G PON發(fā)展，為家庭、園區(qū)提供更高速、更高體驗(yàn)的PON以及FTTR解決方案。