喜報 | 三安集成榮獲國家科學技術進步一等獎

  ICC訊  三安光電 (SSE:600703)全資子公司三安集成作為射頻芯片研發(fā)、制造和服務公司，建立了自主工藝技術平臺，與高校、通訊龍頭企業(yè)共同完成的項目“高能效超寬帶氮化鎵功率放大器關鍵技術及在 5G 通信產(chǎn)業(yè)化應用”于近日榮獲2023年度國家科學技術進步一等獎。

  三安集成在該項目中承擔了氮化鎵功率放大器關鍵技術的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化工作，與高校、通訊龍頭企業(yè)協(xié)作攻克了5G移動通信基站用寬帶、高效、高線性功率放大器核心工藝技術，形成了自主知識產(chǎn)權氮化鎵功放芯片制造工藝技術解決方案，并通過了5G組件和系統(tǒng)的應用驗證，實現(xiàn)了在客戶端的穩(wěn)定批量出貨。

  5G技術對于射頻功放的工作頻率、能效、帶寬和線性度均提出了更高的要求，氮化鎵作為第三代半導體材料具備相較傳統(tǒng)硅基射頻器件更好的高頻特性，被業(yè)界認為是目前5G基站功放的最優(yōu)解決方案。該項目成果即有效地滿足了我國5G基站對高性能氮化鎵功放的迫切需求，為我國在新一代移動通信技術領域的國際領先地位奠定了重要基礎，并取得了顯著的經(jīng)濟和社會效益。據(jù)中國信通院白皮書發(fā)布信息，截至2023年10月底，國內已部署開通5G基站累計321.5萬個，估算2023年5G直接帶動經(jīng)濟總產(chǎn)出1.86萬億元，間接帶動總產(chǎn)出4.24萬億元。

  三安集成成立于2014年，持續(xù)投入氮化鎵、砷化鎵射頻芯片的制程研發(fā)和制造，于廈門和泉州布局了大規(guī)模射頻芯片產(chǎn)業(yè)鏈，主營業(yè)務包括氮化鎵射頻功放代工、砷化鎵射頻功放代工、射頻封測代工和濾波器產(chǎn)品，應用涵蓋民用基站、智能手機、Wi-Fi和物聯(lián)網(wǎng)等領域，在國內射頻芯片制造領域占據(jù)重要份額。