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OFC 2025 | SiFotonics 推出高響應背照式200Gbps/lane Ge/Si PD

訊石光通訊網   發(fā)布時間:2025/4/3 9:24:15  編者:iccsz
摘要：SiFotonics在OFC2025推出高響應(0.75A/W)、背照式Ge/Si 200Gbps/lane PD芯片(包括單通道及四通道陣列)，面向1.6T DR8和2xFR4高速光模塊設計。

  ICC訊 2025年4月1日，SiFotonics在OFC2025推出高響應(0.75A/W)、背照式Ge/Si 200Gbps/lane PD芯片(包括單通道及四通道陣列)，面向1.6T DR8和2xFR4高速光模塊設計。

  該產品基于SiFotonics “IDM-Lite”專屬硅光產線開發(fā)生產，采用背照式、Flip Chip設計，首次在硅襯底背面集成了微透鏡，等效光敏面達到34um，具有高于52GHz的帶寬和0.75A/W的O波段響應度，適配業(yè)內主流TIA，并針對Flip Chip到TIA和Flip Chip到基板的需求分別提供帶solder和solder bump版本的芯片。


關于SiFotonics

  SiFotonics Technologies(希烽光電)成立于2007年，是世界上最早的硅光技術原創(chuàng)及產品化公司之一，目前已是全球硅光器件及集成芯片解決方案領軍企業(yè)。SiFotonics擁有獨特“IDM-Lite”硅光工藝線，先進鍺硅外延生長技術，積累了超過17年的硅光器件和芯片設計、量產經驗，擁有100+全球專利授權，已實現(xiàn)了硅光芯片技術平臺、出貨量、市場份額的行業(yè)領先。SiFotonics 繼續(xù)致力于為人工智能集群、數(shù)據中心、相干通訊、5G/6G無線網絡、新一代PON、激光雷達與光傳感等市場提供極具競爭力的硅光器件、集成芯片與解決方案，利用顛覆性硅光技術助力和使能全球AI智能化、數(shù)字化加速發(fā)展。

Email:

sales@sifotonics.com

tao.fei@sifotonics.com

內容來自：SiFotonics
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文章標題:OFC 2025 | SiFotonics 推出高響應背照式200Gbps/lane Ge/Si PD
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