硅光子學引領(lǐng)光路集成化

　　【訊石光通訊咨詢網(wǎng)】 隨著眾多寬帶業(yè)務包括云計算和物聯(lián)網(wǎng)等的快速發(fā)展和急劇增長，未來光網(wǎng)絡將具有更高的速率、更大的容量和更廣泛的應用。這對光系統(tǒng)中采用的發(fā)送、接收、調(diào)制、放大、交換和動態(tài)補償?shù)雀鞣N功能的光器件提出更苛刻的要求：高性能、小尺寸、低功耗、高可靠和低成本。無疑，光器件和光模塊的光路集成化將是必然的技術(shù)方向。集成光學研究博士陳益新如是認為。

　　集成光路發(fā)展所遇的挑戰(zhàn)及原因分析

　　集成光路(PICs)的進展速度相比于集成電路(EICs)要遲緩許多。集成光學首次提出是在1969年，集成光路首次商業(yè)應用在2005年左右，集成了大約102個光元件(Infinera),相隔了36年。

　　這種滯后的主要原因有4個：

　　1、 PICs需要多種不同功能的器件(如激光器，調(diào)制器，多路復用器，衰減器等)構(gòu)成;

　　2、不同的器件要獲得各自的優(yōu)化性能迄今仍需采用不同的材料體系，諸如元素或化合物半導體、介電晶體、玻璃及有機聚合物等，其制造工藝平臺也有很大差別;

　　3、光波導器件的大小由光波長決定，尺寸縮小比EICs受到較大限制; 有源光器件是基于二元，三元和四元的化合物半導體，其加工比Si基更難控制;

　　4、對集成規(guī)模和產(chǎn)量的巨大迫切需求是器件集成化快速發(fā)展的根本動力，過去的相當一段時期中分立光器件在通信速度、容量、尺寸及成本方面尚能滿足運作要求。

　　硅基集成光路顯潛在優(yōu)勢

　　當前，不同功能的光器件需要采用相宜的材料和工藝才能獲得理想的性能，因而出現(xiàn)了多種光集成技術(shù)平臺，諸如：InP基、LiNbO3基、SiO2基、聚合物基以及后來的硅基和光子晶體基等光子集成新途徑。這種多材料體系的局面不利于進一步使PIC縮小尺寸和降低成本。

　　而一項結(jié)果表示，相比石英或聚合物、InP-InGaAsP，絕緣體上硅材料可以提高集成光路密度10⁶。 從該對比及從近年來的技術(shù)發(fā)展可以預期，借以CMOS工藝的硅基集成光路則將更顯示其潛在優(yōu)勢。

　　硅基集成光路技術(shù)和應用

　　設(shè)于美國華盛頓大學內(nèi)的OpSIS是一個開放的硅光子平臺，能夠支持25 Gb / s的數(shù)據(jù)通道，實現(xiàn)高速調(diào)制器，探測器和無源光子器件的單片集成。測試結(jié)果證明整個晶圓均勻高性能，表示該平臺能夠在芯片上構(gòu)建復雜的光子集成系統(tǒng)，適合數(shù)字數(shù)據(jù)通信，模擬光子處理，和其他領(lǐng)域的應用。使用硅基產(chǎn)品還有諸如硅光波導及無源光波導器件、硅光波導調(diào)制器等。

　　結(jié)語：硅光子將是關(guān)系到今后二三十年新一代技術(shù)重大變革的戰(zhàn)略性課題，不僅涉及眾多學科，而且要長期堅持。我國國內(nèi)(包括香港)和臺灣海峽兩岸在硅光子學方面研究已經(jīng)取得一定進展。未來，我們更需攜手共同努力搶占硅光子學制高點，爭取在集成光電路技術(shù)和應用方面走到世界前列。