SiFotonics 25G APD硅光芯片性能超III-V 獲國(guó)際市場(chǎng)認(rèn)證

　　ICCSZ訊   SiFotonics Technologies，目前國(guó)際硅光技術(shù)領(lǐng)域領(lǐng)先企業(yè)之一，近期正式發(fā)布25G鍺硅雪崩光電探測(cè)器芯片(Ge/Si APD)AP2005，其1310nm靈敏度達(dá)到-22.5dBm，為目前業(yè)界25G探測(cè)器的最高水平，此性能相繼得到日本頂尖光通信公司驗(yàn)證，目前已開(kāi)始小批量出貨。

　　AP2005是SiFotonics采用突破性設(shè)計(jì)和工藝，結(jié)合近十年來(lái)的硅光研發(fā)技術(shù)積累，在標(biāo)準(zhǔn)的CMOS晶圓制造工廠生產(chǎn)。該款產(chǎn)品克服了上一代產(chǎn)品暗電流偏大、響應(yīng)度偏低的問(wèn)題，具備高性能、高產(chǎn)量、支持非氣密封裝等優(yōu)點(diǎn)，顯示出強(qiáng)大的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。下圖為AP2005的靈敏度測(cè)試結(jié)果：

　　Back-to-back sensitivity of Ge/Si APD ROSA

　　(λ=1309.14nm, ER=9dB, 25.78Gbps, 2^31-1, NRZ, w/o CDR, 25ºC)

　　此芯片性能明顯超過(guò)同等測(cè)試條件下的25G PIN(-14dBm左右)及25G III-V InP APD(-21dBm左右)，被客戶證明為目前業(yè)界25G探測(cè)器的最高性能。

　　長(zhǎng)期以來(lái)，高性能的III-V APD器件一直由日本歐美企業(yè)供應(yīng)，這次25G硅光芯片的極佳性能表現(xiàn)得到了日本頂尖光通信公司的認(rèn)可和訂單，意義非凡。近十年來(lái)，硅光技術(shù)一直是光電產(chǎn)業(yè)的技術(shù)熱點(diǎn)，很多大公司，如IBM/Intel，均投入大量資源研發(fā)，但其市場(chǎng)占有率一直不理想。硅光器件一直試圖沖破傳統(tǒng)光器件的包圍，找到市場(chǎng)的突破點(diǎn)。SiFotonics 25G硅光APD器件AP2005，在性能上超越傳統(tǒng)材料APD，是硅光技術(shù)的重要里程碑。同時(shí)，該產(chǎn)品對(duì)日益發(fā)展的100G網(wǎng)絡(luò)也具有重大意義：在很多場(chǎng)合，特別是日益擴(kuò)展的數(shù)據(jù)中心需要較長(zhǎng)的距離連接，它可以直接取代半導(dǎo)體光放大器(SOA)。25G 硅光 APD可以用于100G ER，100GBASE ER4，100GBASE ER4-lite，長(zhǎng)途干線及數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用領(lǐng)域。

　　SiFotonics CEO潘棟博士表示：“基于4x25G的100G應(yīng)用是未來(lái)光通信產(chǎn)業(yè)的海量市場(chǎng)，也是硅光技術(shù)目前的主戰(zhàn)場(chǎng)。經(jīng)過(guò)近十年的技術(shù)積累，我們的硅光芯片在性能上已逐漸追上并超過(guò)III-V芯片，在量產(chǎn)能力、可靠性等方面也已經(jīng)過(guò)市場(chǎng)驗(yàn)證。實(shí)際上我們的多款硅光探測(cè)器芯片已在大量出貨，目前更多的研發(fā)力量已投入到硅光集成芯片上。此次的25G APD只是初露鋒芒，借助硅基技術(shù)強(qiáng)大的技術(shù)平臺(tái)優(yōu)勢(shì)，我們不久就會(huì)發(fā)布更加激動(dòng)人心的高度光電集成的100G芯片產(chǎn)品。”