專訪SiFotonics：硅光已至 全面進軍市場時機成熟

　　ICCSZ訊（編輯 summer） 前不久，備受業(yè)界關注的2016 Intel開發(fā)者論壇(IDF)上，Intel宣布，硅光電子100G收發(fā)器正式投入商用，并已批量出貨，此消息一出，給行業(yè)內(nèi)帶來了不小的沖擊。關于硅光子的技術的發(fā)展已經(jīng)有多年的歷史了，如今的討論度更是火熱不已。

　　一直致力于成為硅光子器件與集成技術的開創(chuàng)者與領導者的SiFotonics Technologies Co., Ltd.(以下簡稱“SiFotonics”)，在CIOE 2016上打出了“硅光，已至”的口號，并展示了25G Ge/Si APD TO-Type ROSA及100G ICR 模塊等硅光產(chǎn)品的最新進展。前去SiFotonics展臺參觀的人絡繹不絕。在這期間，訊石也對SiFotonics CEO潘棟博士進行了專訪，了解公司硅光技術的發(fā)展動態(tài)。

　　(SiFotonics團隊：右二為CEO潘棟博士)

　　致力硅光研發(fā) 全面進軍市場時機成熟

　　SiFotonics成立于2006年底，目前投資額近5000萬美元，公司在波士頓、北京、上海分別設立了研發(fā)中心，現(xiàn)有員工約100余人。核心技術團隊匯集了來自MIT、清華大學、復旦大學的多名業(yè)界精英，投身于硅基光電產(chǎn)品前沿技術的開發(fā)與應用。

　　去年年底，SiFotonics在硅光領域中取得了決定性的突破：SiFotonics研發(fā)的正面入射型25G高速鍺硅雪崩二極管 (APD), 在1310nm靈敏度達到了-22.5dBm (BER=1E-12)， 為所有探測器件中的最高性能，這是硅光有源芯片里程碑式的進展：單個器件的性能超越傳統(tǒng)材料。

　　據(jù)潘總介紹，“SiFotonics進入硅光領域比較早，起初接觸到硅光時，感覺到硅光是長期而且有發(fā)展前景的，一開始先把鍺硅器件做好，然后再慢慢走向集成。如今經(jīng)過近十年的努力和積累、數(shù)代產(chǎn)品的更迭，SiFotonics的鍺硅PD/APD芯片已在性能、量產(chǎn)能力、可靠性等方面得到足夠的市場檢驗，目前各類產(chǎn)品已累計出貨近100萬顆，并開始推出硅光集成芯片如ICR。”

　　(SiFotonics展臺)

　　技術創(chuàng)新 提供高性價比光電器件

　　硅光子技術是基于硅材料，利用現(xiàn)有CMOS工藝進行光器件的開發(fā)和集成的新一代技術，不僅在光通信，數(shù)據(jù)中心，在超級計算以及生物、國防、AR/VR技術等許多領域都將扮演極其關鍵的角色。

　　據(jù)了解，硅光子在數(shù)據(jù)中心和接入網(wǎng)都有著廣泛的應用，一旦應用市場打開，需求量跟上，價格優(yōu)勢便會顯示出來。多年來SiFotonics專注于CMOS工藝的硅基光電器件及光電集成芯片的設計與開發(fā)，通過技術創(chuàng)新為客戶提供高性價比的光電產(chǎn)品，可廣泛應用于傳統(tǒng)光通信市場、數(shù)據(jù)中心、FTTx、HDMI遠傳等帶寬需求量快速增長的市場。潘總認為，“硅光是一種顛覆性的技術。 大量集成芯片的出現(xiàn)可以改變現(xiàn)有的產(chǎn)業(yè)結構 ，從市場的切入還有成本的優(yōu)勢上面，都顯示了非常強大的競爭力。”而對于如何促進硅光發(fā)展，潘總認為要發(fā)展應該多與業(yè)界交流， 不能盲目跟從，找到一個合適自己的切入點，然后再深深扎進去才是最好的選擇。

　　邁向成熟 走出實驗室

　　和多年以前不同，從前更多的企業(yè)都在觀望，而現(xiàn)在越來越多的企業(yè)、機構開始進入硅光領域，許多研究所也在花費心血進行研究。對此，潘總認為，從前硅光技術的產(chǎn)品化并不好，一直都只是在實驗室當中，但現(xiàn)在硅光技術已經(jīng)在各個方面開始成熟了，很多硅光產(chǎn)品在市場上也開始出現(xiàn)，大規(guī)模商用已近在眼前。

　　來自Technavio分析師的最新預測顯示，從2016年到2020年間，全球硅光子市場的年復合增長率(CAGR)將超過48%，其中通信應用占整體市場95%。Technavio認為，硅光子市場增長的主要因素有四個：對更高網(wǎng)絡帶寬的需求;降低40Gbps以上速率的傳輸成本;來自公共資金的巨額投資;硅光子具有的能提升能源效率的特性。

　　目前在硅光子領域雖然涌現(xiàn)出眾多公司，但實際上大部分公司都處在研究階段。而SiFotonics已實現(xiàn)鍺硅光電探測器(Ge/Si PIN)、鍺硅雪崩光電探測器(Ge/Si APD)等產(chǎn)品的量產(chǎn)化，現(xiàn)已向市場全面推出2.5G/10G/25G PIN/APD芯片及其陣列，覆蓋波長范圍850nm~1577nm。目前公司的硅光產(chǎn)線也已完成硅光子集成技術的相關工藝調(diào)試，并成功試產(chǎn)高性能100G集成相干接收/發(fā)射芯片(ICR/ICT)。不久，SiFotonics將推出面向數(shù)據(jù)中心應用的100G集成收發(fā)芯片。