用戶名: 密碼: 驗(yàn)證碼:

高通新一代旗艦芯片將采用臺積電7納米制程 支持5G

摘要:高通(Qualcomm)新款旗艦手機(jī)芯片已完成完成設(shè)計(tape-out),確定將采用臺積電7納米制程,供應(yīng)鏈傳出,高通新款手機(jī)芯片已經(jīng)在第四季量產(chǎn),最大的特色是整合類神網(wǎng)路運(yùn)算單元(NPU)及支持5G,可大幅提升人工智能邊緣運(yùn)算效能。

  ICCSZ訊 據(jù)報道,高通(Qualcomm)新款旗艦手機(jī)芯片已完成完成設(shè)計(tape-out),確定將采用臺積電7納米制程,供應(yīng)鏈傳出,高通新款手機(jī)芯片已經(jīng)在第四季量產(chǎn),最大的特色是整合類神網(wǎng)路運(yùn)算單元(NPU)及支持5G,可大幅提升人工智能邊緣運(yùn)算效能。

  預(yù)計包括三星、華為、OPPO、Vivo等非蘋陣營手機(jī)大廠均將采用,最快明年第一季終端手機(jī)可望上市。

 新一代的旗艦手機(jī)芯片

  高通目前Snapdragon 8系列的手機(jī)芯片主要采用三星晶圓代工(Samsung Foundry)10納米制程,雖然三星已宣布支持極紫外光(EUV)微影技術(shù)的7納米制程開始量產(chǎn),但臺積電7納米已量產(chǎn)進(jìn)入第三個季度。

  也因此,隨著蘋果及華為的自制手機(jī)芯片已采用臺積電7納米制程量產(chǎn),高通基于上市時間的考量,新一代旗艦手機(jī)芯片亦采用臺積電7納米投片。

  業(yè)界人士指出,高通最新款旗艦手機(jī)芯片將于第四季在臺積電7納米制程量產(chǎn),同時將可望于明年第一季搭載終端裝置在市面上問世,并將會是高通首款支持5G數(shù)據(jù)機(jī)芯片的移動平臺。目前正式名稱在市場上眾說紛紜,可能將會延用上一代命名方式,取名做Snapdragon 855或是Snapdragon 8150。

  高通本次采用臺積電7納米制程投片,芯片運(yùn)算效能將可望相較前一代提升不少,功耗亦可明顯降低,而最大的特色在于,高通首度將支持人工智能運(yùn)算的NPU處理單元整合進(jìn)入手機(jī)芯片當(dāng)中,并同支持5G數(shù)據(jù)機(jī),使人工智能邊緣運(yùn)算速度明顯增加。

 安卓陣營高端機(jī)采用

  高通積極推動5G在明年商用化,由于初期各項產(chǎn)業(yè)鏈在5G投資成本依舊高昂,因此高通也看準(zhǔn)這點(diǎn),僅會在明年初期將5G芯片導(dǎo)入旗艦手機(jī)平臺,搶攻三星、小米、OPPO、Vivo等安卓高端機(jī)種訂單,預(yù)料明年下半年后才會把5G最新規(guī)格逐步下放到中低階機(jī)種,屆時將會與聯(lián)發(fā)科面對面戰(zhàn)爭。

  此外,高通推出的快充規(guī)格Quick Charge目前最新版為QC 4+,但隨著新款手機(jī)芯片推出,將可望推出新規(guī)格。供應(yīng)鏈指出,高通預(yù)計將于明年推出QC 5最新快充規(guī)格,將可望將最高輸出功率從原先的27W提升至32W,并在充電設(shè)計上從2條電路該改為3條電路輸出,讓充電效率提升,同時不讓溫度明顯增加。

內(nèi)容來自:新浪科技
本文地址:http://huaquanjd.cn//Site/CN/News/2018/10/31/20181031020232843991.htm 轉(zhuǎn)載請保留文章出處
關(guān)鍵字: 高通 臺積電 芯片
文章標(biāo)題:高通新一代旗艦芯片將采用臺積電7納米制程 支持5G
【加入收藏夾】  【推薦給好友】 
免責(zé)聲明:凡本網(wǎng)注明“訊石光通訊咨詢網(wǎng)”的所有作品,版權(quán)均屬于光通訊咨詢網(wǎng),未經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)不得轉(zhuǎn)載、摘編或利用其它方式使用上述作品。 已經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)使用作品的,應(yīng)在授權(quán)范圍內(nèi)使用,反上述聲明者,本網(wǎng)將追究其相關(guān)法律責(zé)任。
※我們誠邀媒體同行合作! 聯(lián)系方式:訊石光通訊咨詢網(wǎng)新聞中心 電話:0755-82960080-168   Right