三安陳文欣：化合物半導體的5G相關應用

  ICCSZ訊 IMT-2020(5G)峰會在深圳召開，向國內外業(yè)界集中發(fā)布我國最新5G研究和試驗成果。三安集成電路有限公司資深總監(jiān)陳文欣做了主題為《化合物半導體的5G相關應用》演講。

  以下為演講全文：

  很榮幸有這么個機會能夠加入到5G推進的大家庭當中，誠如剛剛王院長所說的，其實我們今天在座的各個單位，如果說解決的是5G從系統(tǒng)端到標準化的過程，三安解決的就是如主題二5G解決方案中芯片制造的環(huán)節(jié)。

  三安目前是國內第一家做化合物半導體的大規(guī)模制造平臺，這是三安整體的芯片制造策略。在器件制造的環(huán)節(jié)當中，從原材料的晶片上有足夠的自控能力。從LED芯片起家，目前是全世界產能規(guī)模最大的半導體廠商。從材料上看，從襯底的材料，藍寶石部分是用于功率級的碳化硅，襯底是用于很重要的在基站部分的射頻前端的氮化鎵的器件材料。對于砷化鎵，目前終端手機需要用到小功率的PA所需要的基礎材料。磷化銦是在5G商用時代所需頻點需要用到的材料。

  此外，三安在外延的部分擁有全系的化合物半導體主流制造工藝，我們擁有467 MOCD制造能力。在器件的制造端，我們有7個生產基地，2017年成立了廈門三安集成電路有限公司，這個公司主要會在化合物的射頻芯片、射頻前端，電力電子，以及供通信部分的應用。三安使用了將近18年的時間，打通了化合物半導體制造平臺上游的環(huán)節(jié)，希望給友商和無線通信領域提供我們的貢獻。

  從全球的市占率來講，三安在中國大陸地區(qū)的市占率達到55%。全球三分天下，中國臺灣的廠商占1/3，大陸的廠商占1/3，另外的是一些歐美的廠商。由于在化合物領域的基礎，所以我們走進了集成電路的行業(yè)。三安供電成立在2000年，目前已經有6000多位以上的在職高級員工，目前鎖定的市場是在光通信，在IF前端的射頻，以及電力電子三大主營業(yè)務板塊，目前在化合物半導體領域擁有數千件從芯片外延制造到全產業(yè)的主流專利積累。在這個領域，我們的知識產權保護在化合物半導體領域是國內最領先的。

  我們目前利用全世界的優(yōu)秀人才，在全世界成立了五大研發(fā)中心，在美國洛杉磯、波士頓，這是在光通領域的研發(fā)中心，以及大功率照明的研發(fā)中心。在北歐有碳化硅襯底的制造和研發(fā)中心。在日本東京成立了射頻前端的濾波器的制造和研發(fā)中心。我們會把所有的力量集中放在大陸國內，最大的研發(fā)中心位于廈門。

  這是三安集成電路在2014年成立的工廠，這個工廠目前投資30億人民幣，項目規(guī)模是在3萬片英寸的化合物芯片，月產能30萬片，目前已經實現規(guī)?；闹圃旄慨a。

  三安化合物半導體提供給無線通信，5G產業(yè)的一些關鍵技術。HBT和PM的工藝，是三安主流量產的工藝，主要應用于終端小功率的器件應用。未來我們持續(xù)在往前演進，會繼續(xù)開發(fā)0.1微米的，目前已經接近量產的兩個工藝，0.45的氮化鎵，還有0.25的氮化鎵基礎工藝，主要用于大功率的基站部分的應用。這個領域是目前整個業(yè)界相對的短板，從材料制造到芯片工藝制成，三安不斷的推進與國外競爭廠商的步伐，很快會擁有自主可控的制造能力。未來，在2019年Q3完成基于磷化銦的射頻功放的應用。

  早上鄔院長提到，在5G應用當中，對于光通信的需求也是器件的核心需求，在2019年第三季會推出相應的對25G赫茲長波段的器件，用于未來的數據中心和骨干網接入的重要器件。

  接下來給大家介紹幾大板塊，在氮化鎵部分，三安會在晶圓制造和器件制造。對襯底材料的把握，到外延的生長，到晶圓的制造，到后面是器件的封裝，以及可靠性測試，最后是用戶系統(tǒng)級的驗證。三安在前端給大家提供成套以及定制化的服務。目前第一片6英寸的碳化硅機氮化鎵的射頻器件。

  三安在日本成立了關于濾波器的研發(fā)中心，未來會從Z和B的濾波器入手，給產業(yè)提供一站式射頻服務，提供濾波器解決方案。光通信，三安在5G應用部分，我們對未來的感知，對物聯(lián)網帶來的新時代的到來，我們布局了關于光通信領域制造平臺的打造和能力。我們在3D成像芯片的技術上做了充分的布局，我們提供從短波段到中長波段，光通信、數據中心的FD、BFD，未來還會提供用于前端接收的100G的解決方案。三安打造全波段、全光譜的制造能力。

  對于未來的5G，我們希望盡快的在5G商用到來之前，把我們自己的技術與器件，在在座的每個客戶端得到充分的認可和驗證。三安在整個規(guī)?；圃焐系牟季?，對于三安平臺來講，我們的價值就是在規(guī)?；圃?。在未來福建的南安我們規(guī)劃了新的工業(yè)量產級的項目，這個項目投資額會達到52億美金，項目以2017年12月份啟動，目前正在大規(guī)模的建設當中。主要是在以下的幾大領域，果斷LET升華甲基、氮化鎵機的芯片，濾波器產業(yè)化的制造基地，高功率的類色制造，高功率的化合物便利電子，高端的產業(yè)封裝。整個產業(yè)制造是三安打造的完整產業(yè)鏈布局。

  三安可以提供從短波段的3D所需要的器件，以及到長波段需要的光通信的器件接口的芯片。從LED的應用，再到功率型的化合物半導體在射頻前端，以及射頻氮化鎵應用的整套解決方案。希望給在座的友商提供整套的5G布局解決方案。