這篇筆記主要參考GlobalFoudry(以下簡稱GF)最近發(fā)表的文章"300mm Monolithic Silicon Photonics Foundry Technology",介紹下GF的硅光子工藝平臺。
GF采用90nm的CMOS工藝,不僅提供了光學元件的PDK,而且提供了用于模擬/數(shù)字控制電路的電學元件。光學元件主要有:Si波導、SiN波導、Mach-Zehnder調(diào)制器、Ge探測器、端面耦合器、偏振轉(zhuǎn)換器件、熱相移器和用于CWDM4的波分復(fù)用器。Mux/DeMux是GF的特色之一,其他Foundry都沒有提供類似的PDK。電學元件包括:RF無源器件、ESD保護電路、e-fuse嵌入式存儲器、標準的CMOS元件。
下圖是GF硅光制程的截面圖,
(圖片來自文獻2)
GF的SOI厚度是170nm, 而不是傳統(tǒng)的220nm。金屬有7層,6層為Cu, 1層為Al。而一般的硅光工藝為2/3層Cu。GF還提供了V-groove的制程,用于端面耦合器處光纖的放置。
GF采用浸沒式光刻的方法制備波導,他們對比了干法刻蝕和浸沒式光刻對波導參數(shù)的影響
(表格來自文獻1)
從上表中可以看出,采用浸沒式光刻,波導寬度的刻蝕誤差更小,側(cè)壁粗糙度也更小。O波段下,350nm寬度波導的傳播損耗約為1.5dB/cm, 810nm寬度波導的傳播損耗約為0.5dB/cm。SiN波導的傳輸損耗為0.3dB/cm。
對于彎曲波導,GF采用了OPC(opitcal proximity correction)的方法, 將彎曲波導轉(zhuǎn)變成一段段臺階相連的多邊形,如下圖所示,其目的是光刻時得到平滑的彎曲波導圖案。但是GF并沒有提供采用OPC方法后的彎曲波導損耗,小豆芽對這一點存疑。
(圖片來自文獻1)
GF提供了Mach-Zehnder型調(diào)制器的PDK, 采用travelling wave電極,可以實現(xiàn)14GHz/20GHz的調(diào)制速率,V_pi*L約為1.54V.cm。調(diào)制器結(jié)構(gòu)如下圖所示,
(圖片來自文獻2)
采用750℃的Ge生長工藝,GF的鍺探測器暗電流為35-70nA, 響應(yīng)率為1A/W, 3dB帶寬約為40GHz。
(圖片來自文獻2)
GF的端面耦合器采用的是IBM的方案(參看IBM的硅光封裝方案),如下圖所示。1310nm時TE模的耦合效率為0.7dB, TM模的耦合效率為1.4dB。
(圖片來自文獻1)
GF的偏振分束旋轉(zhuǎn)(PSR)器件, 如下圖所示。TM模的插損約為1dB, 工作帶寬為60nm,TE/TM的消光比約為27dB。
(圖片來自文獻1)
GF的Mux/DeMux采用級聯(lián)MZI的方案,并且借助于熱相移器的調(diào)控,串擾小于25dB, 單通道的插損為2.5dB。使用熱相移器,可以調(diào)控每個通道的中心波長,波長可變化+/- 3nm。
(圖片來自文獻1)
GF的熱相移器為undercut型熱相移器,采用V-groove類似的工藝刻蝕掉硅襯底,用于提高相移器的調(diào)制效率。最終的P_pi約為2.81mW。
(圖片來自文獻1)
關(guān)于CMOS元件,GF并沒有詳細介紹相應(yīng)的元器件,只是對比了GF不同工藝下TIA的性能,如下圖所示。硅光工藝下的TIA可支持36Gb/s的接收速率。
(圖片來自文獻1)
對于每個元器件,GF提供的PDK并不都是最優(yōu)的。但是它提供了詳實的數(shù)據(jù),給出了同一wafer不同die上器件的統(tǒng)計數(shù)據(jù),這一點對于產(chǎn)品的yield分析非常重要。一般而言,wafer中間的器件性能相對較好。GF提供了單片集成Driver和TIA的可能。此外GF還提供了Mux/DeMux的PDK, 這也是其特色之一。GF下一步將推出45nm的硅光工藝。
(圖片來自文獻2)
目前提供硅光工藝的IC fab, 主要有TSMC、GlobalFoundry和SilTerra。希望在這些芯片加工大廠的推動下,硅光工藝有較快的發(fā)展,器件性能也相應(yīng)地提高。
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參考文獻:
K. Giewont, et.al., "300mm Monolithic Silicon Photonics Foundry Technology "
GLOBALFOUNDRIES Silicon Photonics Platform