NOEIC牽頭申報(bào)的100G/800G光模塊兩項(xiàng)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)課題項(xiàng)目獲立項(xiàng)批復(fù)

  ICC訊 近日，由國家信息光電子創(chuàng)新中心(以下簡(jiǎn)稱創(chuàng)新中心)牽頭，中國信息通信研究院、中興通訊股份有限公司等參與的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)研究課題項(xiàng)目——“100G Baud及以上高速光收發(fā)器件的研究”，獲得中國通信標(biāo)準(zhǔn)化協(xié)會(huì)批復(fù)立項(xiàng)(通標(biāo)發(fā)[2020]42號(hào)，項(xiàng)目編號(hào)：2020B45)。此外，創(chuàng)新中心參與的另外一項(xiàng)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)研究課題項(xiàng)目——“800Gb/s光收發(fā)合一模塊研究”(項(xiàng)目編號(hào)：2020B46)也同時(shí)獲得批復(fù)立項(xiàng)。

  根據(jù)Ethernet Alliance(以太網(wǎng)聯(lián)盟)的技術(shù)發(fā)展路線圖，預(yù)計(jì)2025年，單通道100G Baud的光收發(fā)器件將成為發(fā)展的趨勢(shì)。此外，單通道400G QPSK相干傳輸系統(tǒng)，以及未來800G ZR相干傳輸系統(tǒng)，也提出100G Baud以上的光收發(fā)器件要求。100G Baud速率對(duì)現(xiàn)有的光芯片、電芯片，以及封裝技術(shù)都提出了巨大的挑戰(zhàn)。目前全球范圍內(nèi)，僅有部分領(lǐng)先單位具備100G Baud器件的研發(fā)能力，獲得的測(cè)試數(shù)據(jù)也比較有限。放眼行業(yè)內(nèi)，100GBaud以上光器件在實(shí)現(xiàn)方案、器件指標(biāo)等方面各有不同，需要研究和推動(dòng)統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)的制定。該課題的立項(xiàng)將有力推動(dòng)當(dāng)前我國光通信行業(yè)100G Baud以上光器件指標(biāo)、封裝定義、光電接口等技術(shù)指標(biāo)的規(guī)范化和標(biāo)準(zhǔn)化發(fā)展，有利于我國在下一代高速光器件的標(biāo)準(zhǔn)制定方面取得先發(fā)優(yōu)勢(shì)，提升國內(nèi)相關(guān)產(chǎn)品的國際競(jìng)爭(zhēng)力。

  目前創(chuàng)新中心在高波特率的調(diào)制器件的設(shè)計(jì)和系統(tǒng)驗(yàn)證方面，處于國際先進(jìn)水平：2019年實(shí)現(xiàn)了單通道120Gb/s NRZ和220Gb/s PAM-4的光互連，該成果是目前速率最高的硅基鈮酸鋰薄膜調(diào)制器，并在當(dāng)年的ECOC會(huì)議上作為Post deadline成果發(fā)表，為下一代超高速光收發(fā)芯片提供了可行方案。

  標(biāo)準(zhǔn)化是科技成果轉(zhuǎn)化為生產(chǎn)力的重要“橋梁”，先進(jìn)的科技成果必須通過標(biāo)準(zhǔn)化手段，轉(zhuǎn)化為生產(chǎn)力，才能推動(dòng)產(chǎn)業(yè)和行業(yè)的進(jìn)步。創(chuàng)新中心從2017年建設(shè)至今，始終高度重視產(chǎn)品和技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)化工作。在國內(nèi)一流的光電子芯片工藝開發(fā)和中試驗(yàn)證平臺(tái)的基礎(chǔ)上，創(chuàng)新中心已經(jīng)取得一系列顯著成果，并聯(lián)合中國電信、中國聯(lián)通、中國信通院、華為、中興、烽火、諾基亞、科大國盾等國內(nèi)30余家行業(yè)領(lǐng)先企業(yè)和科研院所，全力推動(dòng)成果的標(biāo)準(zhǔn)化工作。截至目前，創(chuàng)新中心在半導(dǎo)體激光器芯片、100G、400G及800G等高速光收發(fā)器件和模塊、量子通信用量子密鑰分發(fā)關(guān)鍵器件等技術(shù)方向，已經(jīng)牽頭開展行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)課題1項(xiàng)，參與起草行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和課題9項(xiàng)，充分發(fā)揮了創(chuàng)新中心的行業(yè)引領(lǐng)示范作用，也大大提高了創(chuàng)新中心的行業(yè)影響力。