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CUMEC參展CIOE2020 構(gòu)建硅基光電子芯片開放平臺

摘要:2020年9月9-11日,第22屆中國國際光電博覽會圓滿舉辦,CUMEC在 8號館8D53展位展示從設計到制造、封測三大服務平臺。

  ICC訊 2020年9月9-11日,第22屆中國國際光電博覽會圓滿舉辦,CUMEC在 8號館8D53展位展示從設計到制造、封測三大服務平臺。

  聯(lián)合微電子中心是由重慶市政府牽頭組建的國家級國際化新型研發(fā)機構(gòu),中心著眼高端工藝開發(fā)和核心產(chǎn)品協(xié)同設計,建立自主可控IP庫,打造基于IP復用的網(wǎng)絡化集成產(chǎn)品協(xié)同設計平臺,將建立國際主流的8吋先導工藝平臺與國際一流的12吋特色工藝平臺。CUMEC致力于為客戶提供硅基光電子芯片設計、芯片制備、芯片光電封裝服務的全流程芯片開發(fā)平臺。


  一、設計服務

  CUMEC專注于面向多個應用的芯片設計服務,包括硅基光電子、三維集成、智能傳感。

 二、 硅光工藝服務

  CUMEC公司8時特色工藝平檔投資13億,以硅基光電子異質(zhì)異構(gòu)三維集成為核心技術,是目前國際先進、國內(nèi)唯一完整具有自主知識產(chǎn)權的光電微系統(tǒng)先導工藝平臺,具有光刻、別蝕、注入、擴散、薄膜、化學機械拋光(CMP)、外延等完整的集成電路工藝制作能力。依托高水平人才骨干團隊,8時硅基光電子工藝平臺建設不到一年成功通線,核心技術開發(fā)取得重大突破,多項成果國內(nèi)領先、達到國際先進水平,中試產(chǎn)能3000片/月。

  8時特色工藝平臺擁有設備儀器120余臺套,配置ArF (193nm)、KrF(248nm)、i-line光刻機和配套的刻蝕、介質(zhì)層淀積等設備,具備90nm小線寬光刻、刻蝕、介質(zhì)工藝能力;配 置W-CVD、AI/Ti/TiN/Cu/Ta/TaN等金屬薄膜設備,具備W-plug、A布線、大馬士革布銅布線能力;配置多種瞎合機、雙面光刻機、解健合機、減薄、深硅刻蝕、厚Cu電鍵等典型3D集成設備,具備各種鍵合、減薄、TSV(典型∶10*100um)、RDL(再布線)等3D集成工藝能力。

 180nm硅光工藝PDK

  CUMEC PDK(CSIP180AL)基于180nm硅光工藝開發(fā),村底采用200mm SOl溫圓,220nm頂層硅+2um BOX;

  提供3層硅刻蝕,4xP/N摻雜,Ge外延,熱電極,金屬互連等工藝,可選無源和有源規(guī)格,提供豐富的baseline器件;

  一站式硅光解決方案,支持設計、制造、封裝、測試全流程;

  合理的流片價格,領先的交付速度。

  三、硅基光電子封裝測試平臺提供的封裝技術服務

  CUMEC硅光封測平臺是國內(nèi)唯一的具備硅光芯片定制化全流程封裝測試服務能力的開放式服務平臺。

  CUMEC公司于2019年搭建完成的硅基光電子封裝測試平臺是國內(nèi)首個全流程硅基光電子封裝測試平臺,具備±0.5um精度的光纖封裝能力;在光域測試方面具備10kHz窄線寬掃譜測試、600nm-1700nm譜寬及±0.04nm@(1450-1520nm)的光譜測試精度能力;在時域測試方面,支持64GBaud符號率眼圖測試;在頻域測試方面,支持10MHz-67GHz頻率范圍帶寬測試。該平臺對外提供的封裝技術服務包含,封裝損耗≤0.2dB/端的光柵封裝服務;封裝損耗≤0.5dB/端的端面封裝服務;通道間隔≤40um的高密度封裝;RF封裝帶寬≤20GHz。

  該平臺具備硅光全流程封裝測試所需的全部硬件設備,高值設備主要有光波元件分析儀、高速誤碼測試系統(tǒng)、高精度合系統(tǒng)、高精度封裝系統(tǒng)、自動光纖耦合系統(tǒng)、O波段窄帶寬掃譜激光器、C+L波段窄帶寬掃譜激光器、光任意波形發(fā)生器、高速實時示波器、光采樣示波器、多通道高精度電源系統(tǒng)等。

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關鍵字: CUMEC
文章標題:CUMEC參展CIOE2020 構(gòu)建硅基光電子芯片開放平臺
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