中芯國(guó)際：第二代FinFET N+1已進(jìn)入客戶(hù)導(dǎo)入階段！

  ICC訊  作為內(nèi)地規(guī)模最大的晶圓代工廠(chǎng)，中芯國(guó)際的一舉一動(dòng)都牽動(dòng)人心。

  近日有報(bào)道稱(chēng)，在大規(guī)模量產(chǎn)14nm工藝后，中芯國(guó)際的N+1代工藝已經(jīng)進(jìn)入客戶(hù)導(dǎo)入階段，可望于2021年進(jìn)入量產(chǎn)。

  對(duì)此，中芯國(guó)際回應(yīng)稱(chēng)，該公司的第一代FinFET 14nm工藝已于2019年第四季度量產(chǎn)，第二代FinFET N+1工藝已經(jīng)進(jìn)入客戶(hù)導(dǎo)入階段，可望于2020年底小批量試產(chǎn)。

  按照這樣的時(shí)間表推測(cè)，中芯國(guó)際N+1代工藝確實(shí)會(huì)在2021年規(guī)模量產(chǎn)。

  N+1是中芯國(guó)際對(duì)其第二代先進(jìn)工藝的代號(hào)，但從未明確具體數(shù)字節(jié)點(diǎn)，只是說(shuō)相比于14nm性能提升20%、功耗降低57%、邏輯面積縮小63%、SoC面積縮小55%，之后的N+2工藝性能和成本都更高一些。

  今年8月底的時(shí)候，中芯國(guó)際曾表示，N+1工藝進(jìn)展順利，已經(jīng)進(jìn)入客戶(hù)產(chǎn)品驗(yàn)證階段。

  本文轉(zhuǎn)載自微信公眾號(hào)：中國(guó)半導(dǎo)體論壇