國家信息光電子創(chuàng)新中心4項光器件行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和課題成功立項

  ICC訊 近日，中國通信標(biāo)準(zhǔn)化協(xié)會(CCSA)在西安召開傳送網(wǎng)與接入網(wǎng)技術(shù)工作委員會(TC6)第二十三次會議，國家信息光電子創(chuàng)新中心(以下簡稱創(chuàng)新中心)提交的4項光器件行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和課題在光器件工作組通過立項評審。這是繼2019年創(chuàng)新中心牽頭提出的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)研究課題“100GBaud及以上高速光收發(fā)器件的研究”獲批后，又一次在產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)化工作方面取得的重要進展。

  隨著我國5G網(wǎng)絡(luò)建設(shè)的加速實施以及全球5G業(yè)務(wù)的蓬勃發(fā)展，云服務(wù)、物聯(lián)網(wǎng)、AR/VR、人工智能、無人駕駛等新應(yīng)用的興起對高速傳輸網(wǎng)絡(luò)和數(shù)據(jù)中心交換速率提出了更高的要求。下一代800Gb/s的接口速率成為大勢所趨，開展800Gb/s光器件的產(chǎn)品開發(fā)和標(biāo)準(zhǔn)研究工作逐漸成為行業(yè)共識。

  在本次光器件工作組會議上，創(chuàng)新中心聯(lián)合中信科集團、中國信息通信研究院、中興通訊等國內(nèi)優(yōu)勢單位，圍繞800Gb/s光器件及光電共封技術(shù)，共提交4項光器件行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和研究課題，均成功立項，其中牽頭2項，分別是行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)“800Gb/s強度調(diào)制可插拔光收發(fā)合一模塊 第2部分：4×200Gb/s”和標(biāo)準(zhǔn)課題“光電合封技術(shù)研究”，參與2項，分別是“800Gb/s強度調(diào)制可插拔光收發(fā)合一模塊 第1部分：8×100Gb/s”和“集成相干發(fā)射機與接收機光組件 第3部分： 800Gb/s”。

  作為國家級創(chuàng)新研發(fā)機構(gòu)，國家信息光電子創(chuàng)新中心早已率先布局800Gb/s光器件和傳輸系統(tǒng)研究，近期研制出全球首款800G硅光調(diào)制器芯片，速率達到現(xiàn)有主流商用速率的16倍;研制出超高速鈮酸鋰薄膜光調(diào)制器芯片，實現(xiàn)了單通道速率120Gb/s OOK及220Gb/s PAM4的光強度調(diào)制，以及110GBaud QPSK及80GBaud 16-QAM的相干光調(diào)制，為世界最快速的光子芯片之一，這些成果為800Gb/s光器件產(chǎn)品開發(fā)和標(biāo)準(zhǔn)制訂提供了數(shù)據(jù)支撐和編制基礎(chǔ)。

  在工信部、省市區(qū)各級地方政府的關(guān)懷和支持下，創(chuàng)新中心各項建設(shè)內(nèi)容穩(wěn)步推進，已基本建成四大主體研發(fā)平臺，具有國際一流的高端光電子芯片技術(shù)研發(fā)能力，并先后取得國內(nèi)首款100G硅基相干光收發(fā)芯片、25G高速電吸收調(diào)制激光器芯片等一系列重大成果，多款光芯片產(chǎn)品實現(xiàn)了國產(chǎn)化替代，解決了多項產(chǎn)業(yè)面臨的“卡脖子”問題，對信息通信產(chǎn)業(yè)發(fā)展和“新基建”建設(shè)起到了顯著的支撐和帶動作用。面向未來信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展重大戰(zhàn)略，創(chuàng)新中心將充分利用現(xiàn)有資源，發(fā)揮行業(yè)引領(lǐng)示范作用，以本次行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)立項為契機，聯(lián)合國內(nèi)科研和產(chǎn)業(yè)重點單位，全力推動自主光電子芯片成果的標(biāo)準(zhǔn)化工作。

800G及以上速率光模塊全球市場預(yù)測