ICC訊 3月17日,存儲芯片公司美光科技發(fā)布公告稱,從即日起將終止對3D Xpoint的所有研發(fā),出售其在猶他州Lehi的3D Xpoint晶圓廠,同時轉(zhuǎn)移資源以專注于加速支持其新內(nèi)存產(chǎn)品Compute Express Link (CXL)的投資。
3D Xpoint技術(shù)是美光與英特爾共同開發(fā)的一種非易失性存儲技術(shù),比NAND閃存擁有更高的性能和耐用性,旨在填補DRAM和NAND閃存之間的存儲空白。歷經(jīng)超過10年的研發(fā)周期,于2016年正式推出。
2016年時,使用20nm工藝制程的3D Xpoint存儲芯片在猶他州Lehi工廠生產(chǎn),這一工廠也是英特爾與美光于2006年開始合作后建設的第一個工廠。
根據(jù)3D Xpoint誕生時的官方介紹,3D Xpoint的延遲水平以納秒計算,遠超NAND閃存的微秒級延遲, 速度提升高到1000倍,存儲密度比DRAM提高10倍。使得在靠近處理器的位置存儲更多的數(shù)據(jù)成為可能。
但這一曾經(jīng)轟動業(yè)界的存儲技術(shù),后期發(fā)展似乎并不順利。
在兩家的合作中,英特爾主要負責基于3D Xpoint技術(shù)Optane品牌產(chǎn)品的所有商業(yè)銷售,具體產(chǎn)品包括NVMe SSD和IMM尺寸的永久性內(nèi)存模塊。美光則用QuanX品牌包裝3D Xpoint技術(shù),但從未以該品牌發(fā)售過任何產(chǎn)品,其第一個也是唯一一個基于3D Xpoint的實際產(chǎn)品是X100高端企業(yè)級SSD。
美光公司首席商務管蘇米特·薩達納在接受路透社采訪時表示,很多客戶對X100并不滿意,因為他們必須重寫大部分軟件才能利用新型內(nèi)存,因此該款產(chǎn)品發(fā)售數(shù)量非常有限。
2018年,英特爾與美光達成協(xié)議,計劃在3D NAND 閃存領域分道揚鑣,然后在完成第二代3D Xpoint的開發(fā)后結(jié)束在3D Xpoint上的合作,各自開發(fā)基于3D Xpoint技術(shù)的第三代產(chǎn)品。
2019年,美光購買了英特爾在Lehi工廠的股份,并成為該晶圓廠的唯一所有者,由于英特爾無法將其產(chǎn)線快速轉(zhuǎn)移到中國大連的Fab工廠,因此不得不與美光簽署晶圓代工協(xié)議在Lehi工廠生產(chǎn),但英特爾的Optane產(chǎn)品并不足以充分利用該工廠的產(chǎn)能,美光每年的非GAAP運營利潤要因此遭受超過4億美元的損失。
如今,美光認識到,將3D Xpoint存儲器進一步商業(yè)化是不值得,因此決定出售其3D Xpoint晶圓廠,計劃在2021年內(nèi)達成銷售協(xié)議。美光官方稱,美光現(xiàn)在已確定沒有足夠的市場證明將3D Xpoint大規(guī)模商業(yè)化以解決其客戶不斷發(fā)展的內(nèi)存和存儲需求所需的大量投資是合理的,另外,美光將保留與3D Xpoint相關(guān)的所有知識產(chǎn)權(quán),并于該工廠的多個潛在買家保持聯(lián)系。
去年,英特爾宣布將其3D NAND閃存部門出售給SK海力士,并保留其基于3D Xpoint的存儲產(chǎn)品。今年年初又推出新的Optane產(chǎn)品,英特爾作為目前唯一能夠研發(fā)且專注基于3D Xpoint產(chǎn)品的公司,很可能會接手該晶圓廠。
值得注意的是,美光出售其Lehi晶圓代工廠正值芯片缺貨嚴重的時期,因此即使需要買家花費大量精力進行改組,該晶圓廠也可能會快速售出。