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光芯片技術攻關及產(chǎn)業(yè)化立項,將新增光刻、刻蝕等設備20余臺

摘要:5月23日,武漢敏芯半導體有限公司用于5G數(shù)據(jù)中心高速光芯片核心技術攻關及產(chǎn)業(yè)化項目立項。

  ICC訊 5月23日,武漢敏芯半導體有限公司用于5G數(shù)據(jù)中心高速光芯片核心技術攻關及產(chǎn)業(yè)化項目立項。 公示信息顯示,該項目針對目前國內(nèi)高端芯片嚴重依賴進口的現(xiàn)狀,基于5G通信對高速光芯片的要求,開展相關 DFB光芯片技術和工藝研究,完成5G高速光芯片中高帶寬,寬溫工作的技術難題攻關;建設高速芯片生產(chǎn)制造線,完成產(chǎn)品的產(chǎn)業(yè)化及“國產(chǎn)化”替代,加快光通信產(chǎn)業(yè)升級。

  此外,項目將新增2英寸晶圓工藝的光刻機、反應離子刻蝕設備、芯片測試機和網(wǎng)絡分析儀等設備共20余臺,年產(chǎn)能增加2000萬只,產(chǎn)值增加2億元。

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