華為哈勃投資碳化硅公司天域半導(dǎo)體

  ICC訊 7 月 1 日，東莞市天域半導(dǎo)體科技有限公司發(fā)生工商變更，新增股東華為關(guān)聯(lián)公司深圳哈勃科技投資合伙企業(yè) (有限合伙)，同時公司注冊資本由約 9027 萬元人民幣增至約 9770 萬元人民幣，增幅超 8%。

  企查查信息顯示，該公司成立于 2009 年，法定代表人為李錫光，經(jīng)營范圍包含：研發(fā)、生產(chǎn)、銷售：碳化硅外延晶片，半導(dǎo)體材料及器件等。

  據(jù)悉，東莞市天域半導(dǎo)體科技有限公司位于廣東省東莞市松山湖高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)園區(qū)，是我國首家專業(yè)從事第三代半導(dǎo)體碳化硅 (SiC) 外延片研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的高新技術(shù)企業(yè)。2010 年，天域半導(dǎo)體與中國科學(xué)院半導(dǎo)體所合作成立了“碳化硅技術(shù)研究院”，組成了一支國內(nèi)頂尖的技術(shù)創(chuàng)新團(tuán)隊。

  據(jù)了解，經(jīng)過半個多世紀(jì)的發(fā)展，基于硅材料的功率半導(dǎo)體器件的性能已經(jīng)接近其物理極限。因此，以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等為代表的第三代半導(dǎo)體材料的發(fā)展開始受到重視。全球新一輪的產(chǎn)業(yè)升級已經(jīng)開始，正在逐漸進(jìn)入第三代半導(dǎo)體時代。