源杰半導體生產基地一期有望三季度投產

  ICC訊 近日，西安日報報道了西安市級重點項目的進度和動態(tài)。其中源杰半導體生產基地項目年度投資完成1.1億元，占年度計劃比例38%，并完成1#、2#車間、綜合樓外立面等的施工，一期有望2022年三季度投產。

圖片來源：西安日報

  源杰半導體生產基地項目總建筑面積5萬平方米，建設生產廠房2座，孵化器、化學品庫、氫氣站各1座，并配套建設研發(fā)中心、宿舍樓、門房等。項目投資方為中國第一家半導體晶體生長、晶圓工藝、芯片測試與封裝全部開發(fā)完畢并形成工業(yè)化規(guī)模生產的高新技術企業(yè)。該企業(yè)計劃2022年在科創(chuàng)板掛牌。

  關于源杰半導體：

  陜西源杰半導體科技股份有限公司成立于2013年1月28日，專注于進行高速的半導體芯片的研發(fā)、設計和生產，是中國第一家從半導體晶體生長，晶圓工藝，芯片測試與封裝全部開發(fā)完畢，并形成工業(yè)化規(guī)模生產的高科技企業(yè)。產品涵蓋從2.5G到50G?InP激光器芯片，擁有完整獨立的自主知識產權，從最終的使用場景來看，產品廣泛應用于光纖到戶、數(shù)據(jù)中心與云計算、5G移動通信網(wǎng)絡、通信骨干網(wǎng)絡、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)等。經過多年的穩(wěn)健發(fā)展，公司產品的技術先進性、市場覆蓋率和性能穩(wěn)定性位居行業(yè)前列。