聯電搶攻8英寸第三代半導體，新機臺預計下半年進駐廠區(qū)

  ICC訊  5月9日，據臺媒《經濟日報》報道，聯電晶圓代工成熟制程訂單充裕，毛利率沖高之際，布局當紅的第三代半導體也再進化，主攻難度更高、經濟效益更好的8英寸晶圓第三代半導體制造領域，近期大舉購置新機臺擴產，預計下半年進駐廠區(qū)。

  圖源：經濟日報

  報道稱，法人指出，“聯家軍”出身的大將已在中國臺灣地區(qū)第三代半導體搶下一片天。例如聯電前資深副總經理徐建華退休后，轉戰(zhàn)漢磊投控，出任漢磊投控旗下漢磊與嘉晶兩家公司董事長，并成功帶領漢磊與嘉晶量產第三代半導體產品。

  另外，聯電此前第三代半導體布局，主要透過轉投資聯穎切入，鎖定6英寸氮化鎵產品，主要考量目前業(yè)界氮化鎵整體解決方案提供者較少。目前，聯穎正在進行技術平臺建置，完成后會把平臺開放給設計公司客戶使用，擴大接單利益基礎。

  供應鏈則透露，聯電近期擴大第三代半導體布局，自行購置蝕刻、薄膜新機臺，預計下半年將進駐8英寸AB廠，瞄準8英寸晶圓生產第三代半導體的經濟效益優(yōu)于6英寸晶圓的方向，全力搶第三代半導體商機。對此，聯電財務長劉啟東回應，集團在第三代半導體的發(fā)展上，仍以聯穎為主，聯電則進行研發(fā)，不過確實有在合作，但細節(jié)不便透露。

  業(yè)界分析，第三代半導體薄膜厚度比一般晶圓代工還厚，很容易導致晶圓彎曲，鑒于制程難度，目前業(yè)界發(fā)展第三代半導體多以6英寸為主。不過，6英寸晶圓半徑是5公分，8英寸晶圓半徑則是10公分，所以8英寸相對6英寸，一片可以產出的芯片量會“多出很多”，在經濟效益較高的前提下，聯電選擇切入8英寸第三代半導體領域。