XB1202:滿足E2標(biāo)準(zhǔn)的高靈敏度10G XGSPON突發(fā)模式跨阻放大器
繼20年發(fā)布并量產(chǎn)國(guó)內(nèi)第一顆10G突發(fā)模式跨阻放大器XB1201之后,芯波微電子于近期發(fā)布了滿足E2標(biāo)準(zhǔn)的高靈敏度10G XGSPON突發(fā)模式跨阻放大器芯片XB1202。相比XB1201,XB1202的芯片在如下方面做了提升:
· 輸入等效噪聲水平從750nA降到了550nA。相應(yīng)的突發(fā)靈敏度提高了約1.5dB,可達(dá)-33dBm(等效4.6μA平均輸入電流);
· 引入復(fù)位電路,大大減小大信號(hào)情況下的占空比失真;
· 在控制噪聲的前提下大幅提升前級(jí)帶寬,從而最大限度消除了配合各種不同ONU時(shí)發(fā)生中間光誤碼的可能性;
· 小信號(hào)跨阻增益增加至6KΩ,方便后端信號(hào)檢測(cè)電路的工作。
XB1221:性能領(lǐng)先的25G突發(fā)模式跨阻放大器
XB1221是國(guó)內(nèi)首個(gè)發(fā)布并通過(guò)用戶測(cè)試的25Gbps突發(fā)模式跨阻放大器芯片。相比進(jìn)口芯片,XB1221擁有優(yōu)異的性能:
· 只需單個(gè)復(fù)位信號(hào)脈沖即可實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的突發(fā)響應(yīng),突發(fā)響應(yīng)時(shí)間小于25ns;
· 25G模式下實(shí)測(cè)雙包突發(fā)模式靈敏度-28dBm;
· 過(guò)載性能優(yōu)于-5dBm;
· 小信號(hào)帶寬19GHz,小信號(hào)跨阻增益6KΩ;
· 功耗約100mW。
XB1231:全球首發(fā)的50G突發(fā)模式跨阻放大器
XB1231是全球第一顆可提供樣片的50G突發(fā)模式跨阻放大器芯片。該芯片擁有高達(dá)33GHz的優(yōu)異帶寬,并在APD或Flex帶寬不足時(shí)具備一定頻率補(bǔ)償能力。XB1231的增益約為1.9KΩ,輸入等效噪聲僅有2μA,帶復(fù)位信號(hào),突發(fā)響應(yīng)時(shí)間小于25ns。
值得一提的是,上述三個(gè)OLT端新產(chǎn)品全部一次投片成功,展現(xiàn)了芯波微團(tuán)隊(duì)在高端突發(fā)模式跨阻放大器領(lǐng)域的深厚技術(shù)積累。所有產(chǎn)品均備有樣片可供測(cè)試和購(gòu)買。產(chǎn)品信息、項(xiàng)目合作、樣片申請(qǐng)或購(gòu)買等事項(xiàng),請(qǐng)聯(lián)系:sale@sibroad.com
作者按:芯波微電子提供OLT/ONU的全棧光接入解決方案。如性能優(yōu)異的50G NRZ跨阻放大器芯片XB1131、10G增強(qiáng)型跨阻放大器XB1110,以及收發(fā)芯片等。ONU相關(guān)產(chǎn)品將另文介紹,敬請(qǐng)關(guān)注。