三星電子在美半導體工廠建設成本大增近50%

  ICC訊 據(jù)報道，三星電子在美國德克薩斯州泰勒市建設的半導體工廠預計將耗資超過250億美元，這比三星在該半導體廠破土動工時宣布的170億美元增加了80多億美元。而成本增加的主要原因是全球通貨膨脹導致的原材料價格上漲。

  據(jù)了解，三星這一先進半導體生產(chǎn)基地將占用約500萬平方米的土地，計劃將于2024年下半年投產(chǎn)。據(jù)報道，三星目前對泰勒晶圓廠的投資是其最初宣布的投資(170億美元)的一半。

  由于美國半導體支持法案中的一些不利條款，如需要企業(yè)分享超額利潤以及不能在中國增加芯片產(chǎn)量等，三星電子正在考慮是否向美國政府申請補貼的問題。

  不過，一位業(yè)內(nèi)人士表示：“即使三星電子獲得美國的補貼，韓國芯片制造商也很難支付增加的建設成本。這將加深三星電子的擔憂。”

  專家們認為，從長遠來看，三星電子的半導體投資計劃不太可能有大的改變。即使在半導體市場不景氣的時候，該公司也能通過保持投資規(guī)模來保證生產(chǎn)能力，因此預計該芯片制造商在接下來的日子里會堅持這一策略。