蘋(píng)果M3芯片：基于臺(tái)積電3nm工藝打造

  ICC訊  據(jù)外媒報(bào)道，蘋(píng)果將在今年下半年量產(chǎn)M3芯片，采用臺(tái)積電3nm工藝制程。與此同時(shí)，下半年的iPhone 15 Pro系列使用A17芯片，該芯片同樣是基于臺(tái)積電3nm工藝制程打造。

  因此，臺(tái)積電無(wú)法同時(shí)滿足M3和A17芯片的產(chǎn)能要求，搭載M3芯片的Mac新品推遲到2024年發(fā)布。

  據(jù)悉，這次蘋(píng)果是臺(tái)積電唯一使用3nm工藝的客戶。相較于5nm制程，3nm制程的邏輯密度將增加約70%，在相同功耗下速度提升10-15%，或者在相同速度下功耗降低25-30%。

  不僅如此，臺(tái)積電3nm工藝采用創(chuàng)新的FINFLEX架構(gòu)，這是一種全新的標(biāo)準(zhǔn)單元結(jié)構(gòu)，首次被臺(tái)積電引入到3nm中，實(shí)現(xiàn)了全節(jié)點(diǎn)的邏輯密度增加。

  而且FINFLEX擁有前所未有的靈活性，可以針對(duì)高性能、低功耗或兩者之間的平衡進(jìn)行優(yōu)化。能在不犧牲性能的前提下，減少芯片功率的占用。

  據(jù)悉，基于臺(tái)積電3nm工藝的M3芯片，其能效跟上一代相比提升了約10-20%。

  早些時(shí)候，跑分網(wǎng)站GeekBench曝光了蘋(píng)果M3的測(cè)試成績(jī)，單核、多核分別取得了3472分和13676分，性能提升明顯。