武漢鑫威源實現(xiàn)高性能氮化鎵激光芯片研制及產(chǎn)線通線試產(chǎn)

  ICC訊 近日，武漢鑫威源電子科技有限公司（以下簡稱“武漢鑫威源”）發(fā)布消息稱，公司在高性能氮化鎵半導體激光器芯片方面取得重大技術突破，同時氮化鎵半導體激光器芯片產(chǎn)線順利完成通線試產(chǎn)。

  據(jù)公開消息顯示，武漢鑫威源是一家專注于氮化鎵半導體激光器芯片的設計、開發(fā)與制造的高新技術企業(yè)，致力于推動國產(chǎn)氮化鎵半導體激光器的產(chǎn)業(yè)化進程。在湖北武漢江夏區(qū)政府及相關部門的大力支持下，鑫威源完成了廠房建設。廠房位于江夏經(jīng)開區(qū)大橋智能制造產(chǎn)業(yè)園，于2024年4月完成了廠房建設，總投資10億元。同時，無塵車間內(nèi)的恒溫恒濕、凈化、水處理及安全系統(tǒng)也相繼達標并投入使用。

  據(jù)悉，在項目團隊的不懈努力下，鑫威源廠房竣工后迅速完成了超過一百臺套制造設備的安裝和調(diào)試，成功打通了芯片制造產(chǎn)線。在廠區(qū)內(nèi)，公司完成了相關技術能力的轉(zhuǎn)移，并順利進行了產(chǎn)品試驗生產(chǎn)。今年9月，武漢鑫威源實現(xiàn)了藍光450 nm激光芯片的重大技術突破：閾值電流小于 0.25 A，功率大于7 W@3.5 A，光電轉(zhuǎn)換效率WPE達到45%，芯片綜合技術指標處于國內(nèi)頂尖水平。產(chǎn)品技術可以滿足市場對大功率氮化鎵半導體激光器的應用要求，為后續(xù)的量產(chǎn)奠定了堅實的基礎。

  作為新興光電子行業(yè)的高科技企業(yè)，武漢鑫威源電子科技有限公司旨在建設一流的氮化鎵大功率半導體激光器全流程的研究及生產(chǎn)平臺，企業(yè)相關負責人表示：在項目投產(chǎn)后，將彌補國內(nèi)白，企業(yè)也會將促進氮化鎵半導體激光器在國內(nèi)的應用和發(fā)展作為己任，持續(xù)推動行業(yè)技術進步和產(chǎn)業(yè)升級。

  此次通線試產(chǎn)的成功，不僅展示了武漢鑫威源在氮化鎵激光芯片技術領域的強大實力，也標志著企業(yè)在實現(xiàn)國產(chǎn)氮化鎵半導體激光器產(chǎn)業(yè)化方面邁出了關鍵一步。未來，武漢鑫威源將繼續(xù)致力于技術創(chuàng)新和產(chǎn)品質(zhì)量提升，為國內(nèi)外市場提供高性能、可靠的氮化鎵半導體激光器產(chǎn)品，助力光電子行業(yè)的蓬勃發(fā)展。