ICC訊 近日,由國家信息光電子創(chuàng)新中心(以下簡稱創(chuàng)新中心)牽頭,中國信息通信研究院、中興通訊股份有限公司等參與的行業(yè)標準研究課題項目——“100G Baud及以上高速光收發(fā)器件的研究”,獲得中國通信標準化協(xié)會批復立項(通標發(fā)[2020]42號,項目編號:2020B45)。此外,創(chuàng)新中心參與的另外一項行業(yè)標準研究課題項目——“800Gb/s光收發(fā)合一模塊研究”(項目編號:2020B46)也同時獲得批復立項。
根據(jù)Ethernet Alliance(以太網(wǎng)聯(lián)盟)的技術發(fā)展路線圖,預計2025年,單通道100G Baud的光收發(fā)器件將成為發(fā)展的趨勢。此外,單通道400G QPSK相干傳輸系統(tǒng),以及未來800G ZR相干傳輸系統(tǒng),也提出100G Baud以上的光收發(fā)器件要求。100G Baud速率對現(xiàn)有的光芯片、電芯片,以及封裝技術都提出了巨大的挑戰(zhàn)。目前全球范圍內(nèi),僅有部分領先單位具備100G Baud器件的研發(fā)能力,獲得的測試數(shù)據(jù)也比較有限。放眼行業(yè)內(nèi),100GBaud以上光器件在實現(xiàn)方案、器件指標等方面各有不同,需要研究和推動統(tǒng)一標準的制定。該課題的立項將有力推動當前我國光通信行業(yè)100G Baud以上光器件指標、封裝定義、光電接口等技術指標的規(guī)范化和標準化發(fā)展,有利于我國在下一代高速光器件的標準制定方面取得先發(fā)優(yōu)勢,提升國內(nèi)相關產(chǎn)品的國際競爭力。
目前創(chuàng)新中心在高波特率的調(diào)制器件的設計和系統(tǒng)驗證方面,處于國際先進水平:2019年實現(xiàn)了單通道120Gb/s NRZ和220Gb/s PAM-4的光互連,該成果是目前速率最高的硅基鈮酸鋰薄膜調(diào)制器,并在當年的ECOC會議上作為Post deadline成果發(fā)表,為下一代超高速光收發(fā)芯片提供了可行方案。
標準化是科技成果轉(zhuǎn)化為生產(chǎn)力的重要“橋梁”,先進的科技成果必須通過標準化手段,轉(zhuǎn)化為生產(chǎn)力,才能推動產(chǎn)業(yè)和行業(yè)的進步。創(chuàng)新中心從2017年建設至今,始終高度重視產(chǎn)品和技術的標準化工作。在國內(nèi)一流的光電子芯片工藝開發(fā)和中試驗證平臺的基礎上,創(chuàng)新中心已經(jīng)取得一系列顯著成果,并聯(lián)合中國電信、中國聯(lián)通、中國信通院、華為、中興、烽火、諾基亞、科大國盾等國內(nèi)30余家行業(yè)領先企業(yè)和科研院所,全力推動成果的標準化工作。截至目前,創(chuàng)新中心在半導體激光器芯片、100G、400G及800G等高速光收發(fā)器件和模塊、量子通信用量子密鑰分發(fā)關鍵器件等技術方向,已經(jīng)牽頭開展行業(yè)標準課題1項,參與起草行業(yè)標準和課題9項,充分發(fā)揮了創(chuàng)新中心的行業(yè)引領示范作用,也大大提高了創(chuàng)新中心的行業(yè)影響力。